用于制备YAG透明陶瓷激光材料超细粉体的合成及其表征研究

作者以硝酸钇和硫酸铝铵（摩尔比为3：5）为原料，碳酸氢铵为沉淀剂，利用无机体系共沉淀法制备了钇铝石榴石Y3Al5O12(YAG)前驱体。对前驱体进行适当处理并采用高温热解法,制备出了纯相的YAG超细粉体。用XRD分别分析了不同焙烧温度下所得粉体物相、用TG／DTA分析前驱体在加热过程中的重量变化和晶化的温度，用TEM观察所得YAG超细粉体的形貌。结果表明，和其它无机体系相比，可在较低焙烧温度（900℃）下直接得到YAG纯相，而且粉体颗粒细小均匀，呈椭球形，尺寸为30－40nm。     

Gd_(1-x)Zn_xMnO_3系列化合物Rietveld结构分析

利用标准的固相反应法在1 350 ℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品.利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究.X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构.用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化.在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大.     

变色薄膜的紫外线辐照响应研究

 制备了含多芳氨基甲烷类化合物的高分子变色薄膜,经紫外线辐照后,这种薄膜随吸收剂量的不同由无色透明逐渐变为绿色,在可见光区主要吸收峰位于626 nm附近,光密度响应与辐照时间近似成线性关系。研究表明：该辐射变色薄膜变色响应随紫外线能量密度增加而增加;分次辐照能略微提高光密度响应;辐射变色薄膜响应受温度和湿度影响较大,在20～50 ℃温度范围、40%～60%相对湿度范围,响应基本稳定;卤代物添加剂可以大大提高辐射变色薄膜的响应灵敏度;受后辐照效应影响,辐照结束最初2 h内响应迅速增加,2 h后响应才基本稳定。     

变色薄膜的紫外线辐照响应研究

制备了含多芳氨基甲烷类化合物的高分子变色薄膜,经紫外线辐照后,这种薄膜随吸收剂量的不同由无色透明逐渐变为绿色,在可见光区主要吸收峰位于626 nm附近,光密度响应与辐照时间近似成线性关系。研究表明：该辐射变色薄膜变色响应随紫外线能量密度增加而增加;分次辐照能略微提高光密度响应;辐射变色薄膜响应受温度和湿度影响较大,在20～50 ℃温度范围、40%～60%相对湿度范围,响应基本稳定;卤代物添加剂可以大大提高辐射变色薄膜的响应灵敏度;受后辐照效应影响,辐照结束最初2 h内响应迅速增加,2 h后响应才基本稳定。     

一种新型辐射变色膜的γ射线辐照研究

报道了以高聚物为载体,以有机染料及添加剂为变色指示剂体系,制备一种辐射变色膜。这种辐射变色膜为无色透明固体薄膜,经60Co γ射线辐照后,其颜色变为蓝色。辐照后样品的紫外-可见吸收光谱表明,在可见光区其最强吸收峰出现在624 nm附近。在10～90 kGy的剂量范围内,不含添加剂的辐射变色膜的光密度变化与吸收剂量呈线性关系,而含有添加剂的辐射变色膜对γ射线辐照的响应在50 kGy时就达到饱和。同时还探索了该体系辐照效应的化学反应机理。     

高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究

金红石单晶体经中子辐照后，不仅由无色透明变为深兰色，而且导电特性发生很大变化，且由高绝缘材料变为n型半导体，作者分别在低温、室温及高温下，研究了样品电阻随温度的变化关系，并在空气和真空气氛下，对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响。结果表明，金红石晶体经中子辐照后，在低温下具有典型的半导体导电特性；在高温下于空气中退火，样品会被逐渐氧化，最后变为无色的绝缘体；在10^-4Pa高真空气氛中退火，样品表现出点缺陷导电行为，且缺陷离子具有两个不同的激发能级（0.06eV和0.12eV)，分别对应子H^ 和Ti^3 ，且在整个过程中没有发现样品被氧化。     

一种新型辐射变色膜的γ射线辐照研究

报道了以高聚物为载体,以有机染料及添加剂为变色指示剂体系,制备一种辐射变色膜。这种辐射变色膜为无色透明固体薄膜,经60Co γ射线辐照后,其颜色变为蓝色。辐照后样品的紫外-可见吸收光谱表明,在可见光区其最强吸收峰出现在624 nm附近。在10～90 kGy的剂量范围内,不含添加剂的辐射变色膜的光密度变化与吸收剂量呈线性关系,而含有添加剂的辐射变色膜对γ射线辐照的响应在50 kGy时就达到饱和。同时还探索了该体系辐照效应的化学反应机理。