传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响（英文）

研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加。另一方面,处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流。基于四管有源像素工作过程进行仿真,结果表明,在曝光期间不加负栅压的情况下,基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9%,其暗电流为N+TG的0.377倍。当电荷转移效率大于99.999%时,N+TG的开启电压需高于2.3 V,而P+TG的开启电压需高于3.0 V。     

基于天然聚多糖的环境友好材料（II）-麻纤维和芦苇纤维多元醇的生物降解聚氨酯

以麻纤维和芦苇纤维制备的植物多元醇为原料，合成具有良好性能的生物降解 性硬质聚氨酯泡沫体，其密度40 kg/m~3左右，压缩强度150 kPa，弹性模量4 MPa 。而且多元醇中植物原料含量越大，其性能越好，这使植物原料的充分利用和材料 生产成本的降低成为可能。土壤掩埋实验表明，泡沫体有很好的土壤微生物降解性 。     

二代近贴微通道板（MCP）电子清刷技术

主要介绍二代近贴微光管MCP了清刷技术研究结果，结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论。     

二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠，技术先进，对提高微光管的总体指标，解决像质差，提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。     

时间延迟积分型面阵CMOS图像传感器MTF速度失配模型研究

研究了时间延迟积分型面阵互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器调制传递函数(MTF)速度失配特性,在分析累加级数、像素尺寸、镜头放大倍数、行周期及电机运动速度失配等影响因素的基础上,建立了MTF速度失配模型。基于现场可编程门阵列(FPGA)开发板,搭建面阵CMOS图像传感器实现线阵时间延时积分(TDI)的CMOS测试系统。实验结果表明,在光强为3lx,速度失配M(ΔV/V)<2,8级时间延迟积分与面阵成像相比,MTF值提高50%;当累加级数为8级,速度失配满足M(ΔV/V)=2的速度失配容限时,奈奎斯特频率处的MTF值下降10%,当速度失配达到M(ΔV/V)=10时,MTF值下降35%。     

二代微通道板(MCP)放气成份质谱分析

模拟二代微光管制管工艺,对MCP经不同工艺处理后的放气成份进行分析,发现工艺质量本身是造成MCP污染的主要因素.经改进工艺,提高了制管成品率和管子性能.     

三代微光像增强器GaAs负电子亲合势（NEA）光电阴极稳定性研究

针对三代管ＧａＡｓ阴极灵敏度下降问题,开展工艺过程质量研究,分析影响因素并经工艺改进解决阴极不稳定问题     

紫外成像器件光电阴极封接焊料熔层缺陷对气密性的影响

为解决紫外成像器件光电阴极与管体封接漏气问题,对管体InSn合金熔化过程中出现的质量问题进行了深入分析,找出焊料熔层缺陷主要来源于对焊料除气不彻底和基底表面氧化及设备油污染。通过优化工艺参数,改进工艺质量和把化铟设备管体搁置焊料熔化改为浇铸熔化,使管体焊料熔化合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到98%。     

三代微光管防离子反馈Ａｌ２Ｏ３ 膜电子轰击放气成分分析

为了解决防离子反馈Ａｌ２Ｏ３膜污染对三代微光管ＧａＡｓ光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板（ＭＣＰ）和带Ａｌ２Ｏ３膜ＭＣＰ在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Ａｌ２Ｏ３膜ＭＣＰ放出有对阴极光电发射有害的Ｃ、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｈ２Ｏ２和ＣXＨY化合物,它们来源于Ａｌ２Ｏ３膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于２１０－９ Ｐａ且无ＣＸＨＹ化合物气体的Ａｌ２Ｏ３膜。     

一种改进的MMC电容电压均衡控制方法

电容电压排序法是一种简单有效的MMC电容电压均衡方法,传统的排序算法会导致子模块反复投切,造成器件开关频率过高,增加了MMC的运行损耗.为此提出了一种改进的方法,即由允许的电容电压偏差大小和桥臂电流计算出维持子模块电压均衡所需的最小排序频率,并将排序频率控制在该最小值处,减少了不必要的子模块投切次数,从而在较低的开关频率下维持各子模块电压的均衡.在Simulink中搭建了MMC仿真模型,对改进前后的两种方法进行对比,仿真结果表明:改进的排序法能够有效降低开关频率,降幅可达70%.