单喷嘴井底平面流场的初步探讨

本文通过某些简化并应用流体力学基木理论,对单喷嘴井底平面流疡进行了初步的探讨,分析推导了单喷嘴井底平面流场的速度和压力分布规律的近似式。多个喷嘴,多股射流冲击到井底后形成的流向不同的横向流将产生相互干扰,但在未受千扰的各自流动区域中,本文的分析结果仍可适用。     

单喷咀能提高机械钻速

本文对三牙轮钻头下的喷咀数量、组合对井底净化的影响作了系统的实验研究和理论分析。实验和分析结果表明,随着喷咀直径比值的减小和喷咀数量的减少,井底净化能力不断提高。在目前的喷咀布置下,以单喷咀最好。     

别古庄油田京11断块剩余油分布研究

别古庄油田京１１断块自１９７９年正式投入开发以来，经过３次层系细分和几次井网加密，截止到１９９６年６月，油田已开发了１７年，注采井总数已达１８０余口，已形成了五套层系（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ（Ⅴ）、Ⅵ）五套井网开的局面，油田的综合含水已达７３．２％，油田保持高产，稳产的难度愈来愈大。     

三种常用物理堵漏材料的优选实验研究

应用（ＡＰＩ）ＤＳ－２堵漏仪对三种常用物理堵漏材料的堵漏效果进行了对比．结果表明：高失水堵漏剂（ＤＴＲ）能有效封堵渗透性地层及１ｍｍ以下的微裂缝，与核桃壳复配后，对付大中型裂缝的漏失十分有效；单向压力封闭剂能有效地封堵渗透性地层的漏失，但不适合裂缝性地层的防漏堵漏；单封与ＤＴＲ按３２的比例混配后，堵漏效果显著增加，二者再与核桃壳混配后对付大中型裂缝的漏失十分有效，其复配比为核桃壳：单封：ＤＴＲ＝３３２时堵漏效果十分好；增加物理堵漏材料的浓度可提高堵漏效果，但可封堵的最大裂缝或孔隙尺寸是一定的．一定的浓度，宽广的颗粒尺寸分布是物理堵漏的关键因素．     

别古庄油田京11断块剩余油分布研究

别古庄油田京１１断块自１９７９年正式投入开发以来,经过３次层系细分和几次井网加密,截止到１９９６年６月,油田已开发了１７年,注采井总数已达１８０余口,已形成了五套层系（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ（Ⅴ）、Ⅵ）五套井网开发的局面,油田的综合含水已达７３．２％,油田保持高产、稳产的难度愈来愈大．因此,本文应用黑油模型对别古庄油田京１１断块１７年的开发历史进行了精细历史拟合,得到了２２个小层的剩余油饱和度分布图和影响剩余油饱和度分布的诸因素,为保持京１１断块的高产稳产提供了可靠依据．     

地层压力水平和注采比与含水率的定量关系

中高含水期开发阶段，稳产难度越来越大，稳油控水成为主要任务，地层压力保持水平是实现稳油控水的一个关键因数，为此，应用特平衡方程和水驱特征曲线，研究了合理注采比，地层压力保持水平及产液量和含水率之间的定量关系，并以别古庄油田京１１断块为例给出了应用结果，该方法对于确定高含水期开发阶段油田的注水政策有一定的指导意义和实用价值。     

哈南油田阿尔善组油藏测井描述

哈南油田阿尔善组储层发育,油气资源丰富,为哈南油田的主力油藏．在该油藏的研究中,充分利用已有的测井资料,首先研究了测井资料的标准化方法以及以测井曲线为基础的岩心归位方法,进而采用神经网络技术将测井信息转化为地质信息,通过该区２７９口井测井资料的综合解释和评价处理,为储层研究提供了基本地质参数和油气评价结论,并采用克里金估计模型绘制了砂体分布、油层有效厚度、孔隙度、渗透率及含油饱和度的平面空间分布图,全面分析了储层在空间的分布规律,为区块油藏综合治理和开发提供了可靠依据．     

哈南油田水淹层测井解释方法研究

立足于二连地区哈南油田的实际地质情况,把该区油层水淹分为六种类型,结合油层水淹后储层性质的变化,从地球物理测井参数响应入手,通过哈南油田 ２００ 多口测井资料的水淹层解释,分析和总结了哈南油田各类水淹层的测井响应特征及其规律,在此基础上,提出该区水淹层解释的基本方法和规则．     

地层压力水平和注采比与含水率的定量关系

中高含水期开发阶段,稳产难度越来越大,稳油控水成为主要任务．地层压力保持水平是实现稳油控水的一个关键因数,为此,应用物质平衡方程和水驱特征曲线,研究了合理注采比,地层压力保持水平及产液量和含水率之间的定量关系,并以别古庄油田京１１断块为例给出了应用结果,该方法对于确定高含水期开发阶段油田的注水政策有一定的指导意义和实用价值．     

Hf0.5Zr0.5O2超薄薄膜铁电性及其晶相演变

超薄Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜在低功耗逻辑器件和非易失性铁电存储方面有着巨大的应用潜力.本文制备了不同厚度HZO薄膜，并使用不同退火温度进行处理，在最优温度条件下所制备薄膜的两倍剩余极化强度(2Pr)可达~40 μC?cm-2，其矫顽场(Ec)低至±1.15 MV?cm-1，响应速度明显优于传统铁电材料.研究表明，虽然HZO薄膜正交相(Pca21)与其铁电性有极大关系，但过高的退火温度将导致四方相(P42/nmc)向单斜相(P21/c)转变，从而降低铁电性.本研究为高性能HZO铁电器件的研究提供了参考.