Mo(d,x)95mTc,Mo(d,x)96gTc和Mo(d,x)97mTc反应的激发函数

用活化法和迭靶技术,测量了入射氘核能量从3.2到13.3MeV范围内,Mo(d,x)^95mTc,Mo(d,x)^96gTc和Mo(d,x)^97mTc反应的激发函数,并与复合核统计模型理论计算作了比较.     

电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量

作者用Si(Li)探测器测量了能量为5～2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面；用Monte Carlo方法计算的电子反射能谱，修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响．作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较．     

29～1 100keV能区98Mo(n,γ)~(99)Mo反应截面的测量

在２．５ＭＶ静电加速器上，利用活化法相对于１９７Ａｕ的中子俘获截面，在２９～１１００ｋｅＶ中子能区测量了９８Ｍｏ（ｎ，γ）９９Ｍｏ的反应截面，并将测量结果与已有数据进行了比较     

射频磁控溅射司太立合金淀积薄膜的主要元素成份测量

司太立合金是动力工业上一种重要的合金材料,它是一种钴基合金,具有优良的抗水蚀性能,尤其是核动力发电设备上具有特殊的用途.在发电设备中,通常将司太立合金的条状薄板熔焊在基体上,但由于热效应引起的工件变形及内应力,不得不采取后工艺加以消除,其效果亦不是十分满意.本工作试图采用磁控溅射技术直接在基体上形成一层司太立合金薄膜。磁控溅射七十年代发展起来的一种新型技术,它与一般溅射相比,其优点是淀积速率快,基体温度低,损伤小.但由于各种元素的溅射系数差别较大,因此溅射形成合金需要一段平衡时间,溅射系数最高的成份优先溅射以后,     

利用14N(d，p)15N核反应对各品系小麦种子中蛋白质含量分析初探

粮食作物提供的植物蛋白是人体所需要的蛋白质中最基本、最重要的来源 ,提高粮食作物中的蛋白质含量 ,对改善食品质量、提高营养水平有着重要意义 ,国际上一直把改善谷物蛋白质含量作为重要研究课题 .测定植物样品中蛋白质含量的传统方法是Ｋ氏 (Ｋｊｅｌｄａｈｌ)化学分析法 ,但Ｋ氏法是破坏性的 ,同时又很费时 ,难以满足在选种培育计划中对大批量样品进行快速分析的需要 .因此由基于对氮元素成分的分析出发 ,从而促进了确定蛋白质含量的核技术在这一需求下得到迅速的发展[1] ,如快中子活化法、热中子活化法、光子活化分析法和由质子、α粒…     

电子注入对CdSe探测器性能的影响

研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺，并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现，CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流，减少探测器噪声，提高探测器能量分辨率。制备出的CdSe室温核辐射探测器对^241Am 59.5keV和^109Cd 87KeV γ射线的能量分辨率分别为9．6％和7．5％。     

电子碰撞引起的Hf和W元素的L-X射线产生截面比研究(英文)

本工作测量了元素Hf和W的L -X射线产生截面比Lβ/Lα 在从阈能到 3 2keV能区内同能量的函数关系 .实验结果表明 ,比值 Lβ/Lα 在阈能附近和入射能量有关 ,该特性完全不同于在较高能量处现有的 L 壳层数据及所有的 K 壳层数据 ,与他人发表的结果和两种理论预言也作了比较     

谷物种子中蛋白质含量测定的核反应分析法

分析了在高蛋白质谷物育种中对筛选方法的要求, 对谷物中蛋白质测定的方法进行了综述评价, 重点介绍了用于谷物蛋白质测定的核反应分析法的原理及特点. The requirements of the screening method for high protein content in grain breeding are analysed. Methods for the determination of protein content in grain seed are reviewed.The principle and the advantages of the nuclear reaction method for the measurement of protein content in grain seed are discussed in detail.     

K-SHELL IONIZATION OF IRON BY ELECTRON BOMBARDMENT

K-shell ionization cross sections for Fe by electron impact were measured by detecting the characteristic X-rays emitted from the thin solid film target of known mass thickness with a Si(Li) detector. Reflection correction of the substrate was done using a bipartition model of electron transport. The experimental results are satisfactory as compared with the theoretical calculation and empirical formula.     

由21—40keV电子轰击钼引起的k壳层电离截面的测量

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量能量为２１－４０ｋｅＶ电子引起的Ｍｏ的特征Ｘ射线，从而确定ｋ壳层的电离截面。描述了衬底影响测量结果的方法。同各种理论计算的比较表明，实验结果和Ｒｕｄｇｅ的计算吻合较好。