K(Ta0.56Nb0.44)O3四方铁电结构的第一性原理研究

在广义梯度近似(GGA)下利用全电势线性化的缀加平面波法(FLAPW)的总能量计算,确定了K(Ta_0.56Nb_0.44)O₃固溶体的四方精细结构,即B位离子(Ta和Nb)在铁电相的平衡构型.结果表明,Ta相对于氧八面体沿[001]方向有约为0005nm的偏心位移,而Nb的偏心位移约为0016nm,铁电非稳的发生主要应归因于后者. 关键词：     

Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小. 关键词： 扫描隧道显微镜 Si(111)7×7表面 Ge团簇     

在Si（111）—（7×7）表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.     

铁电体中介电异常与长程关联的关系

利用双势阱模型研究了铁电体中介电异常的机制 ,结果表明介电常数源于外场造成的偏离中心离子在多位势中的附加的跳跃 .介电常数可分为两部分 :其一与长程关联无关 ,服从 1 /T律 ;其二由长程关联引起 ,可用关联长度很好地描述 .小尺寸样品中介电异常偏离Curie_Weiss定律源于长程关联的减弱 .     

钛酸锶钡的铁电相变与晶胞体积的关联

考察了Ba_μSr_1-μTiO₃(BST)的T_C对晶格 参数γ的依赖关系.并对BST的依赖关系与BaTiO₃和SrTiO₃的相应依 赖关系进行了比较.得到了一个观点：BST的T_C的变化可归因于晶胞体积效应.还 从体积效应的观点对BST相变的弥散性和级进行了讨论.BST的晶胞体积效应可归因于BST中Ba 和Sr的离子化现象. 关键词： 铁电性 钛酸锶钡 晶胞体积效应     

在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.     

BaTiO_3与PVDF热释电复合膜的研究

采用在成膜过程中加直流电场和不加电场两种方法制备了ＢａＴｉＯ３＋ＰＶＤＦＩ合薄膜，在１０ｋＶ／ｃｍ电场下制备的复合膜热探测优值ｐ／ε达到１．５×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而无电场制备的复合膜只有１．２×１０－８Ｃ／ｍ２·Ｋ．实验表明在成膜过程中施加强直流电场，可以使铁电颗粒的ｃ轴转向，平行子电场的方向．ＢａＴｉＯ３颗粒的择优取向使复合膜易于极化，从而提高了复合膜的热释电性，并改善了老化性能．     

在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论