提高实验人员素质,加强实验队伍建设

本文阐述了实验队伍建设的重要性,分析了目前高校实验技术队伍中存在的问题,并提出了解决问题的若干措施和对策.     

高等学校教学实验室开放的研究

文章探讨了实验室开放的内涵，认为实验室开放可以分为课程体系开放和课外开放两大类，课程体系开放受益面是全体学生，课外开放有利于学生个性发展，并对实验室开放实施策略进行了粗浅的探讨。     

基于CVD自组装生长氧化锌半导体纳米结构的光电导紫外探测器研究

报道了一种基于自组装生长ZnO纳米结构的光电导型紫外探测器.首先,在石英衬底上制备银叉指电极,然后溅射ZnO纳米薄膜形成一种共面光电导型金属-半导体-金属(MSM)结构,再利用低压CVD生长方法进行ZnO纳米线的原位生长,从而在器件顶部形成了ZnO纳米线垂直阵列和其上交错排列ZnO纳米线所构成的双层ZnO纳米线结构.这种器件底部的ZnO薄膜既是MSM光电导器件的电荷传输层,也同时作为上层ZnO纳米结构自组装生长的籽晶层,顶部的ZnO纳米结构层作为紫外光敏感层,测试结果表明该器件具有光响应速度快、光响应电流大和良好的紫外响应可分辨特性.研究表明,相比于单根ZnO纳米线光电导紫外器件而言,基于ZnO纳米结构膜层的光电导紫外探测器能够大幅度提高可测光响应电流.     

基于Delphi的实验室管理信息系统设计和应用

应用Delphi工具开发了一种教学为主型实验室管理信息系统，介绍了该系统功能、模块结构和特点，以及应用效果。     

电子辐照对SiC功率MOSFET器件动态特性的影响机理

针对SiC功率场效应晶体管在太空、核工业等高能粒子辐照环境下应用时的老化失效问题,以1 200 V SiC MOSFET器件为对象,研究了电子辐照对SiC MOSFET器件动态特性影响及机理。在10 MeV电子束下对SiC MOSFET器件进行200 kGy剂量的辐照;然后,采用双脉冲测试电路对SiC MOSFET器件进行开关测试,并提取开关速度以及开关瞬态能量损耗等参数;接着对器件进行静态特性测试得到器件的阈值电压、栅极电阻、寄生电容等参数;最后,对比辐照与未辐照器件动态和静态特性参数变化分析电子辐照对SiC MOSFET器件动态特性影响机理。分析结果表明：在漏极电压800 V、漏极电流15 A、栅极外接电阻200Ω的测试条件下,辐照后器件开启延迟时间减小11.6 ns,开启瞬态能量损耗减小0.18μJ,关断延迟时间增大48.4 ns,关断瞬态能量损耗增大0.11μJ。结合器件静态特性参数分析发现：辐照后氧化层中正固定电荷增加7.14×10¹¹ cm^-2,器件阈值电压减小1.5 V;电子辐照在氧化层中电离产生电子空穴对,氧化层陷阱捕获空穴形...     

扩展Su-Schrieffer-Heeger模型在周期性边界条件下的相变

文章计算了含有三种跃迁项(最近邻(NN)、次近邻(NNN)、次次近邻(NNNN)跃迁项)的扩展Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型(模型ⅰ)的热力学特性.对仅含有二种跃迁项(NN、NNN跃迁项)的扩展SSH模型(模型ⅱ)、仅含有一种跃迁项(NN跃迁项)的SSH模型(模型ⅲ)也作了类似的计算.在低温下,每个模型都有相变且跃迁项的存在会降低相变温度.由于NNN跃迁项的存在,在极低温条件下,关于热容量与温度比(HCOTR)随温度变化的单调性,模型i与其它两个模型存在差异.在低温下,模型ⅰ的HCOTR的单调性,会受NN或NNN或NNNN跃迁项的影响并且NN或NNN跃迁项会影响其相变.     

P型微晶硅氧薄膜光电性能研究

本工作采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了P型微晶硅氧窗口层薄膜,讨论了P型微晶硅氧的光电特性随硼烷掺杂率的变化.采用紫外-可见透射光谱,拉曼光谱,傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),暗电导测量对薄膜的光电特性进行了表征.结果表明,P型微晶硅氧材料均表现为微晶态,随着硼烷掺杂率增加,晶化程度逐步降低,暗电导率快速减小,光学带隙持续降低.该结果可归因于硼烷掺杂的增加抑制晶化使得非晶成分增多,有效掺杂率降低导致薄膜电导率下降,另一方面,对硅氧物相分离的阻碍作用导致薄膜带隙下降.硼烷掺杂率为0.4;样品的电导率高达0.158 S/cm且光学带隙为2.2 eV,兼具高透射性和良好电导率,可作为高效硅基太阳电池的窗口层.     

含有呋喃衍生物的窄带隙共轭聚合物的合成及光伏性能研究

通过Stille法将呋喃衍生物苯并二呋喃(BDF)引入共轭主链,合成了苯并二呋喃-呋喃-苯并恶二唑共聚物(Polymer 1,简称P1).以紫外吸收光谱分析了聚合物溶液及其膜的基本光谱特征,通过理论计算进行了分子模拟,并用电化学循环伏安法测定了其基本的电化学性质.采用此材料为给体,PC71BM为受体制备了本体异质结型的有机太阳能电池器件,同时研究了不同给/受体重量比的情况下以及1,8-二碘辛烷作为添加剂的情况下的光伏器件性能.结果表明,P1聚合物在可见光区具有较大吸收.由P1所制得的光伏器件,在AM1.5的模拟太阳光照射条件下最高的转化效率为2.96%,表明BDF基团的引入可实现窄带隙的光电聚合物.     

The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells

A new tunnel recombination junction is fabricated for n–i–p type micromorph tandem solar cells. We insert a thin heavily doped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) p + recombination layer between the n a-Si:H and the p hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) layers to improve the performance of the n–i–p tandem solar cells. The effects of the boron doping gas ratio and the deposition time of the p-a-Si:H recombination layer on the tunnel recombination junctions have been investigated. The current-voltage characteristic of the tunnel recombination junction shows a nearly ohmic characteristic, and the resistance of the tunnel recombination junction can be as low as 1.5 ·cm 2 by using the optimized p-a-Si:H recombination layer. We obtain tandem solar cells with open circuit voltage V oc = 1.4 V, which is nearly the sum of the V oc s of the two corresponding single cells, indicating no V oc losses at the tunnel recombination junction.     

表面补偿的高雾度ZnO∶Al及其在硅薄膜太阳电池中的应用

采用稀盐酸对磁控溅射法制备的平面掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜表面进行湿法刻蚀制绒,分析了盐酸浓度和刻蚀时间对AZO薄膜表面的形貌特征和光电特性的影响。研究发现,湿法刻蚀导致AZO薄膜表面呈现大尺度的陨石坑形貌特征,随刻蚀时间增加,薄膜在大于500 nm的长波范围内光学透过率可维持在70%~75%,且800nm处雾度值可高达48%,陷光能力快速增加,而面电阻率呈现逐渐增加趋势。高的盐酸浓度可以导致薄膜表面呈现较快凹型形貌特征,并可给出较高的雾度值。为了在保持高雾度值的条件下改善薄膜导电性,在2%盐酸刻蚀30 s所制备绒面沉积300 nm AZO薄膜进行厚度补偿,所获得薄膜的表面方块电阻小于10Ω/sq,以其作为前电极所制成的单结薄膜电池转换效率达到9.24%。结果表明,采用酸性刻蚀+厚度补偿方法所制备的绒面AZO薄膜可兼顾高雾度和低电阻的性能要求,是用作硅基薄膜太阳电池前电极的理想材料。