一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.     

千兆以太网卡芯片数模转换电路的设计与实现

给出了6bit分辨率、10bit精度的千兆以太网卡芯片数模转换电路,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计．该数模转换电路经过TSMC 0．13μm 1P8M CMOS工艺验证,工作电压为1．5V／2．7V．芯片测试结果表明该数模转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求．     

冷蒸气原子吸收光谱法测定铜精矿中的汞

本文研究了一种用冷蒸气原子吸收光谱测定铜精矿中汞的方法。铜精矿用逆王水或硫酸-高锰酸钾(固)消化后用测汞仪测定其中的汞含量。测定结果的相对标准偏差小于5%;回收率在92-107%之间。     

原子吸收分光光度法测定石油裂解催化剂中的钠,铁和铜

本文研究了石油裂解催化剂中钠、铁和铜的测定。试样用氢氟酸和高氯酸(或硫酸)溶解后,控制溶液酸度在pH1.5-2.0范围内,分别在5589.0纳米,248.3纳米,324.8纳米波长处对钠、铁和铜进行原子吸收分光光度法测定。其相对标准偏差分别小于5%,4%和2%;回收率分别在96-101%,94-103%和97-104%之间,适合于石油裂解催化剂的分析。