浅谈高铁专网规划设计

为保证用户在高速铁路中的通信质量保持不变甚至有所提高,解决高速车厢内手机用户通信时发生的切换混乱、接通率低和掉话等现象,提出了高速铁路规划设计方案,为基站位置的选择提供了依据;同时通过建立行驶列车中乘客的话务模型和数据业务模型,提出了各专网小区的载频配置原则。     

混合结构机械臂的设计与仿真分析

为减轻金属机械臂的重量,以六自由度机器人的大臂为研究对象,结合三维编织碳纤维复合材料的成型工艺,设计机械臂结构,提出基于CFRP/QT(碳纤维增强复合材料/QT 500-7铸铁)混合结构的机械臂轻量化设计方法。采用有限元分析方法对混合结构机械臂进行静力学分析,得到满足强度及刚度要求下混合结构机械臂的设计方案。力学仿真结果表明,混合结构机械臂质量减少24%,混合结构机械臂机器人具有良好的运动性能,在J1关节处所需驱动力矩更小。     

Localized electronic states in gaps on hole-net structures of silicon

Hole-net structure silicon is fabricated by laser irradiation and annealing, on which a photoluminescence (PL) band in a the region of 650--750~nm is pinned and its intensity increases obviously after oxidation. It is found that the PL intensity changes with both laser irradiation time and annealing time. Calculations show that some localized states appear in the band gap of the smaller nanocrystal when Si=O bonds or Si--O--Si bonds are passivated on the surface. It is discovered that the density and the number of Si=O bonds or Si--O--Si bonds related to both the irradiation time and the annealing time obviously affect the generation of the localized gap states of hole-net silicon, by which the production of stimulated emission through controlling oxidation time can be explained.     

不同气体氛围下硅量子点的结构及其发光机理

纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700 nm波长附近观察到了受激辐射.在不同氛围下生成的样品有几乎相同的PL光谱分布,其原因是不同氛围下加工出的样品带隙中有相同的电子态分布.计算结果显示:当硅量子点表面被氮或氧钝化后,在带隙中能够形成几乎相同的局域电子态,这种局域电子态可以俘获来自导带的电子,从而形成亚稳态,这是PL发光增强乃至产生受激辐射的关键因素. 关键词： 硅量子点 PL光谱 发光增强 电子局域态     

氧化纳晶硅的光致荧光

观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0．5nm（洛伦兹形分布）。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。     

硅基上低维结构的受激发光

用514nm 激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm 和 694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性.纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成.解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用.     

纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型

纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间，发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化，表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中，有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成，产生对应的电子陷阱态出现在带隙中。PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释。其中，陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件。     

纳秒激光加工生成网孔硅的发光

我们分别在氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成网孔结构,发现这些样品有增强的PL发光,且各样品的PL峰很相似。通过第一性原理计算,发现各种网孔结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型。     

Various Trap States at SiGe-SiO2 Interface Formed by a Pulsed Laser

We report fabrication of low-dimensional structures in air by a pulsed laser on SiGe alloy samples in which different oxide structures are formed by laser irradiation and annealing treatment. The micro-structures on SiGe are more complex than those on Si. A series of photolumineseence （PL） emission is observed due to various trap states at the SiGe-SiO2 interface formed under different preparing conditions. The peak centre of PL emission exhibits red=shift from Si to SiGe because of narrower gap. A model for explaining the PL emission is proposed in which the trap states of the interface between some oxide and SiGe play an important role.     

一种基于多个OFDM符号的载波同步和定时同步算法及在TD-SCDMA中的应用

研究了OFDM技术在TDSCDMA第3代移动通信系统中应用OFDM的符号同步问题，并结合TDSCDMA的帧结构，提出了一种基于多个OFDM符号联合实现符号定时同步和载波同步的算法。对其在“case3”信道的性能进行仿真，仿真结果表明，提出的算法有较高的精度。