全文获取类型
收费全文 | 552篇 |
免费 | 158篇 |
国内免费 | 91篇 |
专业分类
化学 | 140篇 |
晶体学 | 8篇 |
力学 | 4篇 |
综合类 | 8篇 |
数学 | 33篇 |
物理学 | 259篇 |
综合类 | 349篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 12篇 |
2022年 | 25篇 |
2021年 | 17篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 16篇 |
2018年 | 27篇 |
2017年 | 17篇 |
2016年 | 17篇 |
2015年 | 22篇 |
2014年 | 38篇 |
2013年 | 38篇 |
2012年 | 42篇 |
2011年 | 48篇 |
2010年 | 47篇 |
2009年 | 47篇 |
2008年 | 53篇 |
2007年 | 47篇 |
2006年 | 34篇 |
2005年 | 30篇 |
2004年 | 44篇 |
2003年 | 29篇 |
2002年 | 22篇 |
2001年 | 27篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 10篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 17篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 4篇 |
1980年 | 2篇 |
1964年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
排序方式: 共有801条查询结果,搜索用时 187 毫秒
1.
2.
根据野外调查的样方资料,分析了广州科学城灌丛群落的种类组成、区系、群落外貌、结构等特征,结果表明,该区灌丛共有维管束植物61科117属140种。区系地理成分以热带一亚热带植物区系占优势,群落的外貌主要由草质、单叶和小型叶为主的小、矮位芽植物所决定。在分析灌丛群落特征的基础上,提出用乡土树种营造森林植被的景观改造方法。 相似文献
3.
4.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
5.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
6.
7.
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K. 相似文献
8.
With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film. 相似文献
9.
10.
LD双端端面泵浦的高功率连续单频Nd:YVO4激光器 总被引:2,自引:1,他引:1
通过研究Nd:YVO4晶体在不同Nd3+掺杂浓度下对泵浦激光的吸收特性,以及激光晶体因吸收泵浦光而产生的热效应,在理论上分析了大功率泵浦情况下全固体化单频Nd:YVO4激光器中激光晶体Nd3+掺杂浓度对激光输出特性的影响,得出了激光器的输出功率、泵浦阈值以及斜效率与晶体掺杂浓度的对应关系.在实验上对晶体掺杂浓度分别为0.2 at%、0.3 at%和0.5 at%的大功率全固体化单频Nd:YVO4激光器的输出功率进行了比较,实验结果和理论预测基本吻合.当Nd:YVO4晶体的Nd3+掺杂浓度为0.3 at%,在44.3 W泵浦光功率下,我们在实验室得到18 W单频连续1.064 μm激光输出,激光器的斜效率为49.4%. 相似文献