氧化光栅型垂直腔面发射激光器的研究

通过分析矩形出光孔径和亚波长金属光栅结构,发现大孔径高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制的难点在于横模非常复杂。因此提出一种新型的氧化光栅型VCSEL结构,不仅能够很好地在有源区内引入各项异性的增益结构,并且最大的优势还在于能够完美地控制大孔径VCSEL的横模。通过有限元软件对器件有源区的电流分布进行了模拟,发现当光栅脊的宽度为1.8 μm时,载流子在光栅两端聚集的现象基本上可以消除,而且其电流密度分布差可以达到很高。     

Ultraviolet emissions realized in ZnO via an avalanche multiplication process

Au/MgO/ZnO/MgO/Au structures have been designed and constructed in this study. Under a bias voltage, a carrier avalanche multiplication will occur via an impact ionization process in the MgO layer. The generated holes will be drifted into the ZnO layer, and recombine radiatively with the electrons in the ZnO layer. Thus obvious emissions at around 387 nm coming from the near-band-edge emission of ZnO will be observed. The reported results demonstrate the ultraviolet (UV) emission realized via a carrier multiplication process, and so may provide an alternative route to efficient UV emissions by bypassing the challenging p-type doping issue of ZnO.     

基于VC与AO的组件式地理信息系统开发

以中国少年儿童信息管理系统为例,介绍了在VC和Arcgis与SQL环境下,利用AO组件集成开发GIS管理信息系统的方法。给出了有针对性的系统总体设计和数据库设计,编程实现了模块化的系统主要功能和关键技术,使图形数据和属性数据紧密关联,实现了图形、属性以及相关信息的一体化管理。     

利用亚波长矩形金属光栅稳定980nm高功率垂直腔面发射激光器偏振（英文）

利用亚波长矩形金属光栅的偏振特性,在垂直腔面发射激光器的有源区引入各向异性增益从而达到控制其偏振的目的。光栅参数设计基于均匀介质理论和抗反射理论,光栅设计周期为186 nm,占空比为0.5,并且光栅制作于GaAs盖层来对TE偏振光提供额外的反射率。经过设计分析对p-DBRs的对数进行了缩减,并且将光栅条之间的盖层区域刻蚀掉,刻蚀深度为1μm左右。盖层刻蚀的结果使电流注入的方向严格沿着光栅条线性注入的有源区,从而增加了非均匀增益并提高了偏振比。通过多物理场有限元分析软件对器件进行了模拟分析,结果基本上符合设计要求。通过优化工艺步骤,最终得到了550μm孔径器件的输出功率为780 mW,并且偏振比达到4.8的结果。     

基于亚波长金属光栅的980 nm 高功率垂直腔面发射激光器偏振控制

利用制作在P-DBRs表面的亚波长金属光栅, 在980 nm高功率底发射垂直腔面发射激光器有源区引入各向异性增益,达到了偏振控制的目的。本光栅基于等效介质理论和抗反射理论设计而成,光栅周期为186 nm,占空比为0.5。通过多物理场有限元分析软件对所设计的光栅进行了模拟分析,结果基本上符合设计要求。通过优化工艺步骤得到了较好的实验结果,550 μm孔径的VCSEL在正交方向上的偏振比为3,输出功率达到870 mW。     

利用亚波长矩形金属光栅稳定980nm高功率垂直腔面发射激光器偏振

利用亚波长矩形金属光栅的偏振特性,在垂直腔面发射激光器的有源区引入各向异性增益从而达到控制其偏振的目的.光栅参数设计基于均匀介质理论和抗反射理论,光栅设计周期为186 nm,占空比为0.5,并且光栅制作于GaAs盖层来对TE偏振光提供额外的反射率.经过设计分析对p-DBRs的对数进行了缩减,并且将光栅条之间的盖层区域刻蚀掉,刻蚀深度为1 μm左右.盖层刻蚀的结果使电流注入的方向严格沿着光栅条线性注入的有源区,从而增加了非均匀增益并提高了偏振比.通过多物理场有限元分析软件对器件进行了模拟分析,结果基本上符合设计要求.通过优化工艺步骤,最终得到了550 μm孔径器件的输出功率为780 mW,并且偏振比达到4.8的结果.     

甘氨酸和氨基硅烷改性硅藻土吸附甲醛性能与机理研究

利用液相化学包覆法成功合成了3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTS）和甘氨酸（GLY）改性的两种氨基改性硅藻土（DE）复合材料（即:APTS/DE和GLY/DE），并对气相甲醛进行了高效吸附研究。通过实验，确定了两种复合材料的最佳制备条件，并对其微观结构和形貌进行了表征和分析。通过系列甲醛吸附实验，对两种氨基改性硅藻土复合材料的甲醛吸附性能进行了对比，结果表明:准二级动力学和朗缪尔等温吸附模型能准确地描述吸附过程；在20℃时，最佳条件下制备的APTS/DE和GLY/DE复合材料对气相甲醛的最大吸附量分别为5.83 mg·g?1和1.14 mg·g?1。复合材料的热力学参数计算表明，该吸附过程是自发且放热的；在硅藻土表面接枝的丰富氨基及其引发的席夫碱反应对复合材料高效吸附甲醛起到了关键作用。