铝厂污水零排放研究

本文从水质方面分析了西南某铝厂污水零排放的可行性。为了实现污水零排放,对该铝厂东片区、氧化铝厂、热电厂三大污水处理系统进行改进。从现场试验监测及统计分析结果表明,改进后的处理系统处理的水质满足再生水水质指标要求,该铝厂污水零排放的实现创造了极大的经济和社会效益。     

CuGaS_2的晶体生长与发光

具有黄铜矿晶体结构的Ⅰ—Ⅲ—Ⅵ_2族化合物半导体与Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体的晶     

甘薯粉丝加工成套设备的设计

设计了一种适用于农村粉丝加工业的甘薯粉丝加工成套设备,并对样机进行了生产应用试验。     

圆盘切割器切割玉米茎秆的试验与分析

本文对几种型式的圆盘式切割器切割玉米茎秆进行了试验研究，探讨了工作参数对切割性能的影响，提供了圆盘式切割器主要参数的设计依据。     

内置电加热管烘干机小麦加热特性

采用内置远红外线电加热管烘干机加热小麦 ,对物料层升温速度和温度分布均匀性与穿透风速的关系进行了单因素试验和四因素二水平的正交试验研究 ,结果表明 ,物料内层的升温速度及内外层温差均随穿透风速的增加而降低 ,内外层温差随加热时间先增大后减小 ;并给出四因素之间的较优参数组合     

锌扩散高效率GaP绿色LED

日本东芝总研,在第二次国际LED会议上发表了用液相外延法掺杂制备GaP,在GaP里扩散锌制作成高效率绿色LED的报告。该LED用树脂封装后发光效率是0.15％(0.5mm见方管芯,SA/cm)或0.23％(0.5mm见方管芯50A/cm~2),比     

氮化镓的物理性质

氮化镓(GaN)是Ⅲ—Ⅴ族化合物的一种,它和同类化合物中的GaAs或GaP等材料相比,禁带宽度(Eg)大,室温下约为3.4eV。光学的基本吸收端在近紫外区。由于Eg大,所以作为蓝色发光器件用的材料而受到重视。它似乎具有直接跃迁型的能带结构。 晶体结构为纤维锌矿石型(六方形晶体系),a=3.189A,c=5.185A。目前制成优质的单晶还很困难,这成了GaN研究上的障碍。 普通的方法制得的晶体是n型,尽管禁带宽,但导电率高。其原因是由于存在氮的空位(变成浅施主)或者氧的影响。虽然通过掺杂也可能变成P型,但似乎不容易。     

果蔬顺纹切片装置设计中的几个理论问题

为了解决果蔬加工中顺物料纤维方向进行切片的问题，本文对顺果蔬纤维方向切片装置设计中的几个主要问题进行了探讨．阐述了切片的原理，提出了切片装置主要参数的设计原则或限定条件，并提供了设计实例．     

高亮度、高效率GaAlAs发光二极管批量生产

发光二极管是一种微小的光源,广泛地应用在各种显示装置中,但在发光效率,功耗等方面未必都能满足要求。 该GaAlAs发光二极管是采用西泽润一发明的温差法,多层连续液相生长而制成的。这种发光二极管所以采用化合物半导体GaAlAs作为材料,是因为它的晶格常数与     

发光二极管特性的测定

为了使人们进一步对发光二极管应用技术的发展有所了解,本文叙述了与用户和生产单位都有关系的元件特性测试法。作为具体的例子,主要以三菱电机制造的红色发光二极管ME112为例来说明。 发光二极管是利用半导体物质作为材料,伴随p—n结的少数载流子注入而发光的半导体元件。 作为这种料材的半导体物质有多种,但是,现在实用的料材有Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、GaP,与此相同还有Ⅲ—Ⅴ族AlAs和GaAs的混晶