ICP刻蚀技术研究

介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,研究以SF6为刻蚀气体,不同的电极功率、气体流量、反应室压强、反应室温度、样片开槽宽度等工艺参数对Si和SiO2的刻蚀速率和选择比的影响.实验结果表明,提高RF1功率和SF6流量,可以提高刻蚀速率和选择比,提高RF2功率虽能提高刻蚀速率但降低选择比,反应室压强上升到1.2Pa时,刻蚀速率达最大值,刻蚀温度为零度时,Si的刻蚀速率最大,开槽宽度对刻蚀速率影响不大.     

聚二甲基硅氧烷中真空氧等离子体表面改性与键合

键合是微流控芯片制作的关键技术之一．目前广泛应用的PDMS微流控芯片一般通过高真空（压力低于10Pa）氧等离子体活化及键合进行制备．需要昂贵的分子泵等设备．通过工艺改进，使用装配普通油泵的等离子体去胶机，在中真空（27Pa）成功进行聚二甲基硅氧烷（PDMS）表面改性及键合．处理后的PDMS表面亲水性得到极大改善．贴合后可永久性密封．制作微流控芯片．使用扫描电镜．红外光谱及接触角测量仪进行了表征．与献报道的高真空氧等离子体处理方法相比．效果基本一致．却大幅度降低了对设备系统的要求．并缩短了操作时间．     

PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide，PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜；利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力；讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响，并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析，得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。     

PECVD淀积SiO2的应用

研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。     

具有“滑轮”效应聚轮烷交联剂的制备及在体膨颗粒型调驱剂中的应用

通过三步反应设计构筑了一种具有双键结构的改性α-环糊精聚轮烷,由于α-环糊精可以在聚乙烯醇链上滑动,因此可以将其视作一种具有"滑轮"效应的交联剂,通过红外光谱、二维核磁共振光谱及X射线衍射等表征了其结构.将新型聚轮烷交联剂和传统交联剂N,N'-亚甲基双丙烯酰胺分别与丙烯酰胺交联共聚制备体膨颗粒,测定其溶胀性能和形变性能.吸水膨胀51 h后,聚轮烷交联剂制备的体膨颗粒吸水倍率为8.32,受到294.3 N的外力再撤消后,体膨颗粒未破碎且能恢复至原始状态,而传统交联剂制备的体膨颗粒吸水倍率为6.75,受到112.4 N的外力后,体膨颗粒发生破碎.表明由聚轮烷交联剂制备的体膨颗粒具有更大的膨胀倍率和更优异的形变性能.