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1.
镧镁六铝酸盐热旱率较低、抗烧结性能较好,热循环寿命比8YSZ的热循环寿命长得多,是一种非常有应用前景的热障涂层新材料。本文制备了热循环失效后的镧镁六铝酸盐热障涂层截面,并分析了涂层失效机理,有望在此基础上进一步提高镧镁六铝酸盐涂层的热循环寿命。  相似文献   
2.
美以特殊关系的形成是冷战时期的特殊历史背景和中东地缘政治的产物。苏伊士运河战争前,由于美国推行“联阿抗苏”的平衡政策,美以关系并不特殊。随着苏伊士运河战争后中东格局的变化,美国出于维护其中东战略利益的需要,在犹太院外游说集团的影响下,同时基于文化和宗教上的接近以及民主理念和社会体制上的趋同,美以关系逐渐升温。经艾森豪威尔、肯尼迪和约翰逊三届政府的推动,从1957年至1968年构建了美以特殊关系,并为以后历届政府所遵循。  相似文献   
3.
本文通过固相反应合成LaMgAl11O19热障涂层新材料,用喷雾干燥的方法制备粉末,用等离子喷涂方法制备LaMgAl11O19/YSZ双陶瓷层热障涂层,通过热循环实验测试了涂层的热循环性能,并分析了涂层失效机理。研究结果表明LaMgAl11O19/YSZ双陶瓷层热循环寿命比8YSZ的热循环寿命长得多,是一种非常有应用前景的热障涂层新材料。  相似文献   
4.
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor(VDMOS) devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films.  相似文献   
5.
为了对桥梁结构进行寿命分析,基于蒙特卡罗计算方法,运用了ANSYS有限元程序,以时间为基本变量的材料性能参数和荷载变化特征为变量,建立了桥梁结构的抗力与荷载模型,计算出桥梁结构的应力、变形值,再由2条桥梁可靠性判定准则推算出桥梁在不同运营时期的可靠概率,由此可以得出桥梁的时间-可靠概率关系曲线,从而可以从曲线图中读取不同使用期的可靠概率,推算出桥梁的使用寿命和剩余使用寿命。  相似文献   
6.
本文从一起电站锅炉的爆管事故中,通过理化试验分析事故产生的原因,从而进一步提出了循环流化床锅炉易产生受热面爆管的因素,为了保证机组运行平稳,提出了锅炉运行中的注意事项以及爆管的防范措施。  相似文献   
7.
高博  刘刚  王立新  韩郑生  张彦飞  王春林  温景超 《物理学报》2012,61(17):176107-176107
研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应, 探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标, 满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外, 通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究, 对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进, 具有参考作用.  相似文献   
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