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闪烁薄膜探测器的灵敏度和中子/γ分辨能力与闪烁晶体厚度密切相关,合理选择闪烁晶体厚度是探测器设计的关键。该文应用Monte Carlo方法模拟了中子和γ射线与闪烁晶体的相互作用过程,计算研究了晶体厚度对探测器灵敏度及中子/γ分辨能力的影响,给出了0.1~16.0MeV中子和γ射线照射下探测器的相对灵敏度,并结合部分能点的实验室标定数据,得到了探测器灵敏度能量响应曲线和中子/γ分辨率。理论计算的灵敏度能量响应曲线与实验标定趋势基本一致。 相似文献
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Gallium Nitride （GaN） room temperature α particle detectors are fabricated and characterized, whose device structure is Schottky diode. The current-voltage （I- V） measurements reveal that the reverse breakdown voltage of the detectors is more than 200 V owing to the consummate fabrication processes, and that the Schottky barrier and ideal factor of the detectors are 0.64 eV and 1.02, respectively, calculated from the thermionic transmission model. ^241Am α particles pulse height spectra from the GaN detectors biased at -8 V is obviously one Gauss peak located at channel 44 with the full width at half maximum （FWHM） of 15.87 in channel. One of the main reasons for the relatively wider FWHM is that the air between the detectors and isotope could widen the spectrum. 相似文献
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利用中子飞行时间技术和BC501A液体闪烁探测器的粒子分辨特性,测量了0°方向、20 MeV氘束轰击厚金属铍靶反应产生的中子源能谱,测量的中子能谱范围为0.7～25.0 MeV。在60°方向放置芪晶体闪烁探测器,由刻度好的BC501A液体闪烁探测器归一校正后,用于中子源强度监测。利用Be(d, n) 反应中子源,采用单粒子灵敏度标定方法,实验标定了0.75~15.75 MeV能量范围内的薄膜闪烁探测器中子能量响应曲线,实验结果与蒙特卡罗模拟计算结果在8%的不确定度范围内一致。 相似文献
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通过固相烧结法制备了Bi2 CuO4材料 ,并对其在中高温下的电导性能及氧渗透性能进行了研究 .研究表明 ,Bi2 CuO4在 70 0℃以下时为电子导体 ,而在 70 0℃以上时其离子电导随温度的增加而显著的增加 ,在 780℃左右时与其电子电导相当 ,是一种较好的氧离子 电子混合导体 .氧渗透测量表明 :在 786℃时 ,厚度为 1 .72mm的样品在上表面氧分压为 0 .2 0 9atm ,下表面氧分压为 0 .0 0 6atm时的氧渗透率达到 5.93×1 0 -8mol/scm2 . 相似文献
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