正弦电源驱动下氯化氪准分子灯的特性研究

介绍了基于介质阻挡放电的氯化氪(KrCl*)准分子灯的光谱、输入功率以及222 nm的辐射效率.KrCl*准分子灯为同轴结构,内管和外管的内/外径分别为14/16,37.6/40 mm.灯内总气压为200 hPa,其中含2 hPa氯气和198 hPa氪气.KrCl*准分子灯由正弦电源驱动.测定辐照度后,通过Keitz公式计算222 nm的辐射功率,而灯的功率则通过示波器结合高压探头和电流互感器来测量.结果表明,KrCl*准分子灯在正弦电源频率48.4 kHz,输入功率150 W时222 nm辐射的最佳效率为5.3%.     

T8荧光灯中的条纹放电研究

Ｔ８荧光灯是一种高效节能照明光源,但在不环境温过低,放电电流太小时,它常常条纹电,对照明造很成大干扰。研究条纹放电的成因和特性是解决这一问题的先决条件。首先从放电等离子体的基本方程出发,求得非均匀等离子体正柱中的色散关系;由此通过计算得到条纹放电形成条件,条纹放电的频率、相速度和时间增长率等主要参数。     

二氧化硅-共聚物杂化荧光纳米材料用于动物活体成像

以氧化硅(SiO_2)前驱体与三嵌段共聚物F108合成较小粒径的SiO_2-共聚物杂化纳米体系(SNP),并与高效近红外发射的疏水染料M507自组装,构建了近红外发光纳米探针M507@SNP。同时,研究了M507@SNP的光物理性能和细胞毒性。动物成像实验证明该纳米成像探针可实现活体层次高信噪比的小动物全身成像和前哨淋巴结的指示。     

条纹放电光谱及其等离子体特性

实验研究了条纹放电的明条纹和暗条纹中汞原子的谱线强度,然后建立汞原子放电的八能级模型,从求解速率方程得到条纹中各种粒子的浓度和电子温度,从而求得了汞可见谱线强度,计算结果和实验符合较好,计算还表明暗纹之间的电子温度判别较大,在明条纹中Tc=153000K,暗条级中Tc=14400K,条纹的明暗判别主要是电子温度不同造成的。     

二氧化硅-共聚物杂化荧光纳米材料用于动物活体成像

以氧化硅（SiO₂）前驱体与三嵌段共聚物F108合成较小粒径的SiO₂-共聚物杂化纳米体系（SNP），并与高效近红外发射的疏水染料M507自组装，构建了近红外发光纳米探针M507@SNP。同时，研究了M507@SNP的光物理性能和细胞毒性。动物成像实验证明该纳米成像探针可实现活体层次高信噪比的小动物全身成像和前哨淋巴结的指示。     

用发射光谱研究荧光灯阴极区中的钡浓度

应用发射光谱技术研究了T12荧光灯阴极电子发射材料钡的损失，实验测定了阴极区中钡原子553．6和钡离子455．4，493．4nm谱线的辐亮度，由此得到钡原子6p^1P1、钡离子6^2P3／2和6^2P1／2态浓度的轴向分布。理论上，由包含9个原子能级和5个离子能级的阴极区钡放电的速率方程，计算出了这些能级上钡粒子的浓度，实验和理论计算符合较好。结果表明，在阴极区钡离子浓度比钡原子浓度大，离阴极2mm处钡的总浓度为10^15m^-3量级。     

低气压Ar-Hg放电中的185 nm辐射

185nm辐射在污染处理中有许多潜在的应用．用模型计算了内径分别为36,24,13,9．5mm的放电管中,低气压Ar-Hg放电的185nm辐射功率和Hg(6^1P1)能级浓度随电流和管壁温度的变化,与己有的实验值符合较好,结果表明,要提高185nm辐射效率,需采用细管径放电管并在较大电流和较高管壁温度下工作．在此基础上设计、制作了内径13mm放电管,测量了185,254nm的绝对辐射功率．测得在电流543mA、管壁温度45℃时,185nm与254nm辐射的功率之比为0．28．讨论了测量的误差来源。     

氧化铝抛光液对铝合金化学机械抛光性能的研究

化学机械抛光(CMP)已成为金属合金最具潜力的平坦化技术. 为了优化铝合金CMP工艺,研究了磨料粒度、分散剂浓度以及pH调节剂对铝合金CMP性能的影响. 结果表明:随着磨料粒度的增加,材料去除率(MRR)和平均表面粗糙度(R_a)均增加,而表面光泽度(G_s)降低. 分散剂(聚乙二醇,PEG-600)的质量分数达到0.5%时,可以获得最优的表面质量和最佳的光泽度. 浆料中添加适量的柠檬酸作为pH调节剂可同时获得较优的表面质量和较高的抛光效率,柠檬酸对铝合金CMP性能的影响是腐蚀作用和螯合作用的综合效应. 此外,简要讨论了氧化铝抛光液对铝合金的静态刻蚀机理和CMP机理. 氧化铝抛光液的最优配方为Al₂O₃ 3.3 μm、H₂O₂ 4%、PEG-600 0.5%和H₃Cit 1.5%.      

T2低气压Ar-Hg放电正柱的电场和254 nm辐射

通过测量外径7 mm的T2低气压Ar-Hg放电灯的电场强度和254 nm辐射强度随放电管冷端温度和放电电流的变化,发现最佳冷端温度在45~50℃之间,且随着电流增加最佳冷端温度有所降低.在电流>125 mA,正柱输入功率>35 W.m-1时,正柱的254 nm辐射强度出现饱和现象.在大电流、高冷端温度条件下,T2灯的负阻特性没有粗管灯明显.     

计及化学电离和非Maxwell电子能量分布的低气压Ar-Hg放电正柱模型

在已有的Ar-Hg放电模型的基础上，细致考虑了Hg激发态之间的化学电离，采用Lagusbenko分布来取代Maxwell电子能量分布，计算了内直径10、14、24和36mm的低气压价Ar-Hg放电正柱的辐射功率、电场强度、电子温度、电子浓度和激发态浓度随放电电流和管壁温度的变化．模型预言与实验测量符合得较好，可用于优化荧光灯设计．