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功率晶体管背面金属化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对比研究了磁控溅财、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善在电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。 相似文献
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报道了600门和800门两种ECL超高速移位寄存器;介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺,包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触和浅结薄基区等;使用这种多晶硅发射极晶体管,3μm特征尺寸设计的19级环形振荡器的平均门延迟小于50ps。给出了600门移位寄存器的电路设计和版图设计,讨论了互连线和双层金属布线对600门和800门移位寄存器的最高工作频率的影响。 相似文献
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报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650— 800℃快速热 退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在 NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9 %Mo对改善 Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650—800℃快速热退火后的 Ni(Mo)Si/Si肖特基 二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64—0.66eV,理想因子接近于1,更 进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.
关键词:
镍硅化物
快速热退火
x射线衍射分析
卢瑟福背散射 相似文献
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针对冰水两相流流型参数检测,设计了电阻层析成像系统,该系统可快速获取两相流的截面电导率图像,通过图像分析获得流型信息的方法直观、高效。测试实验表明,该系统可实时、动态的反映水溶液中冰柱的位置、形态以及运动变化,满足冰水两相流流型的实时在线监测需要。 相似文献
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本文采用S-抢磁控溅射系统淀积ZrN薄膜,用扫描电镜、X射线衍射、反射电子衍射、俄歇电子能谱和电学测量等方法研究了衬底负偏压溅射和溅射两种工艺方法淀积的ZrN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率。结果表明,适当增大溅射功率,采用衬底负偏压溅射方法,有效地减少了氧的沾污,使得所淀积的ZrN薄膜的电学性能有明显改善。 相似文献
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反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。 相似文献
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