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当前,高职院校新校区校园文化建设存在文化积淀较为缺乏、文化传承难度大、文化主体不健全、文化生态失衡等问题,在建设过程中要遵循坚持以学生为本位、继承性与创新性相统一、整体性与多样性相结合、坚持可持续发展等原则,并应从建立新校区校园文化共建机制、移植老校区优秀校园文化、加强新校区学风建设、打造新校区物质文化环境、注重新校区校园文化活动创新等方面着手。 相似文献
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针对硅太阳电池的背表面钝化,研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2/SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性.通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命,发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火,而SiO2/SiN双层膜则比较适合在600~700℃之间的温度下进行常规炉热退火.对SiN膜进行链式炉热退火实验表明,低温(700~850℃)条件下表面钝化效果最好. 相似文献
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稠环烃有机半导体的禁宽度与其分子构裂以及π电子数有关。将可表征分子几何结构特征的拓扑指数-顶点复杂度信息指数和π电子数作为人工神经网络的输入特征量,利用经已知样本集训练的人工神经地稠环烃有机半导体的禁带宽度进行预报,预报结果与实测结果符合较好,表明人经神经网络是进行定量结构-性质或定量结构-活性相关性研究的一种有效方法。 相似文献
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高职院校教学团队建设有利于整合教学资源,推进教学改革,加强师资队伍建设,提高教学质量.本文分析了高职院校教学团队建设的特点及现状,针对高职院校的教学团队建设中存在的问题,提出了加强建设专兼结合的教学团队建设的对策. 相似文献
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氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80 nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极.丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现.最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3;. 相似文献
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以通过开环易位聚合、加氢反应和原子转移自由基聚合技术结合制备的聚乙烯-g-聚苯乙烯(PE-g-PS)作为增容剂,研究了加入不同PS支链长度的PE-g-PS对于线性低密度聚乙烯/聚苯乙烯(LLDPE/PS)共混物的机械性能和发泡行为的影响。 以典型组成m(LLDPE):m(PS)=70:30共混物为例,考察了PE-g-PS对共混物拉伸性能的影响。 相对于二元共混物,增容剂的加入使得断裂伸长率、拉伸强度和屈服强度皆提高,且含长PS支链的增容体系提高更明显。 采用超临界CO2釜式发泡工艺,考察了PE-g-PS中PS支链长度对共混物发泡行为的影响。 结果表明,相对于短PS支链体系,加入PE-g-PS1.59k(PS相对分子质量为1590)后的泡孔结构更加均一,完全没有“缝隙”形貌的出现。 当发泡温度降至80 ℃时,即使存在LLDPE发泡空间限制作用(LLDPE无法发泡),加入支链长度更长的PE-g-PS1.59k后泡孔分布也更加均一。 相似文献
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