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1.
低能质子引起的原子L壳的电离   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用270—450Kev 质子轰击 Pd、Ag、Cd、In、Ta、Au 和 Pb 厚靶、测得 L X—线产生截面,并与ECPSSR 理论作了比较.  相似文献   
2.
0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
我们研究了能量在0.4—3.0Mev 范围的质子轰击 Al 和 Si 薄靶产生的 k 壳层 X 射线,得到了 k 壳层 X 射线产生截面以及相应的电离截面,并与 PWBA 及 ECPSSR 的预言值作了比较.  相似文献   
3.
我们研究了厚靶铝、钛和镍在250到430Kev的质子轰击下产生的K壳层的特征X射线。用Si(L)探测器测量了厚靶的产额,得到了K壳层X射线的产生截面,相应壳层的电离截面,并与半经典近似的理论予言值作了比较。  相似文献   
4.
300千伏中子发生器的加速管   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了300千伏中子发生器的加速管,该中子发生器能产生3×10~(11)中子/秒的中子产额。  相似文献   
5.
0.4—3.0Mev质子引起的Ta,Au和Bi的L壳X射线研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以(?).4—3.0Mev质子轰击Ta,Au和Bi薄靶,测得其L—X射线产生截面.求出了比值L_α/L_(?),L_α/L_β和L_α/L(?).将得到的截面及L-X射线强度比与ECPSSR理论计算值作了比较.  相似文献   
6.
本文报导了我校600KV 高压倍加器的高压电源,离子源供应,离子束后传输系统的技术改造.经一多年来实际运行,通过一些植物理实验及应用研究工作,如质子—原子碰撞内壳层电离和低能量 PIXE对表面层轻元素杂质浓度分析等实验表明,该器性能稳定,运行可靠,测量结果满意.  相似文献   
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