离子选择电极差示分析法连续自动测定溶液样品中的硝酸盐

离子选择电极是一种直接测定液体样品中某一离子活度(浓度)的工具,它具有结构简单、响应速度快、所需仪器简便等优点,非常适用于对工艺流程样品中一种或多种离子进行自动监测。目前,离子选择电极的流线分析正成为电极应用的主要研究方向之一。离子选择性电极的流线分析,大体有两种形式:一种是间隙式,即通过程序控制系统定时取样进行自动分析;另一种是连续式,即用电极体系自动连续监测溶液中特定离子的浓度变化。七十年代初,Riseman、Cammann等人相继提出利用两支相同的离子选择性电极进行差示测量的原理,并讨论了这一技术用于流线分析的可能性及其优点,但至今尚未见到实际应用方面的报导。本文在硝酸根电极研制成功的基础上,用两支对称性很好的硝酸根电极分别做指示电极和参比电极,根据标准添加技术的原理,进行差示     

罗丹明6G衍生物-谷胱甘肽荧光探针测定水中Hg2+

在罗丹明6G衍生物(Rh6G2)中引入谷胱甘肽(GSH),制备了一种荧光探针Rh6G2-GSH,并基于其与Hg2+识别时可发生荧光强度及吸光度的变化,分别采用荧光分光光度法和紫外-可见分光光度法测定水中Hg2+的含量.在由体积比为1:1的4-羟乙基哌嗪乙磺酸(HEPES)溶液和甲醇混合而成的缓冲溶液(pH 7)中加入R...     

高Tc超导体YBa2CU3Ox中铜的价态研究

应用多种光致发光光谱技术测定了高Tc超导体YBa_2Cu_3O_x的荧光光谱,对谱带的比较研究和指认表明,在这种样品中同时存在着Cu~ 、Cu~(2 )和Cu~(3 )。     

光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光

光照下经H₂O₂处理的多孔硅其荧光强度随处理时间增加先增强后减弱,处理1min后,荧光强度达极大。未经H₂O₂处理的多孔硅在空气中激光照射下,其荧光退化很快,经H₂O₂处理的多孔硅在同样条件下,荧光退化明显变慢。红外吸收实验表明,H₂O₂处理后多孔硅与氧有关的振动大幅度增强,而各种Si—H键则明显减少。对比红外吸收与荧光强度的变化, 关键词：     

P型碲化镉中1.41eV发光峰的研究

本文采用生长中控制不同的Cd和Te的比例的样品,在不同条件下热退火后,测量其光致发光谱。实验发现CdTe晶体中出现的1.41eV发光峰强度随样品中Te量的增加而增强。比较不同热退火条件处理后的样品的光致发光谱得到600℃真空热退火1小时后1.41eV发光峰的强度比有Cd气氛存在的同样温度热退火后要强得多。同一种样品1.41eV峰强度随退火温度增加而增强。实验结果表明1.41eV发光峰对应的发光中心可能是V_(cd)或T_(ei)的复合物。     

表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究

提出了一种表面修饰的金属诱导晶化方法,以稳定地获得晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜.为在非晶硅表面获得均匀稳定的Ni源,在晶化前驱物表面浸沾Ni盐溶液之前,先旋涂一层表面亲合剂.通过控制Ni盐溶液的浓度,可以获得均匀性较好、晶粒尺寸分布在20—70μm的多晶硅薄膜.该方法的特点是改善了Ni盐溶液在表面的黏附状态,从而可在比常规Ni盐溶液浓度低1—2个数量级的情况下仍能获得大晶粒的多晶薄膜. 关键词： 表面修饰 溶液法金属诱导晶化 多晶硅 均匀性     

基于高半胱氨酸-罗丹明类荧光探针的合成及其对水中铜离子的检测

以罗丹明6G为原料,通过引入高半胱氨酸为识别基团,合成了一种新的铜离子荧光探针RhCu,考察探针RhCu的光谱性能及其对常见离子的选择性测试,并进行了实际水样的加标回收检测。结果表明:在体积比VCH3OH/VH2O=1∶1介质中探针RhCu能高选择性的识别Cu~(2+),且受常见金属阳离子和阴离子的干扰较小,对Cu~(2+)的识别过程不可逆,实际水样检测中加标回收率为103.5%。在较宽的pH范围内,探针RhCu的荧光强度受pH的影响很小,能运用于环境中高灵敏度、高选择性的检测Cu~(2+)。     

一种苄基多糖类化合物的荧光性能研究

对龙胆科喉毛花属植物长梗喉毛花全草中提取的苄基木糖葡萄糖苷的荧光性能进行了分析.该结构经波谱分析和文献对照确定为苄基木糖葡萄糖苷.通过研究该化合物在不同pH条件下和不同溶剂环境中荧光强度的改变.得到了以下光谱性能结果.此苄基糖苷在乙醇∶水(体积比,2∶8)溶液中的最大激发波长位于210 nm,最大发射波长位于278 nm.在不同的pH条件下,此苄基木糖葡萄糖苷对pH变化的响应并不明显,荧光强度几乎不发生改变,表明化合物在不同的pH范围内荧光强度保持稳定,不同溶剂荧光测试结果表明,化合物在乙醇中的荧光响应最稳定,考虑到对生物细胞成像、食品科学和医学等研究领域的应用,具有潜在的价值.     

半绝缘砷化镓的热反型研究

高压液封直拉法生长的未掺杂半绝缘GaAs和水平法生长的掺Cr的半绝缘GaAs二种样晶在有As气氛和没有As气氛保护下分别在真空封管中在740℃退火4小时后,电学测量发现有As气氛保护的GaAs表面未出现热反型,而没有As气氛保护的GaAs表面出现热反型层。光致发光谱测量发现在热反型的样品中并没有出现与Mn_(Ga)相连系的1.41eV发射峰,而是与C_(As)相连系的1.490eV发射峰强度在退火后大大增强。一系列实验表明在真空退火后SI-GaAs表面低阻反型层的产生可能是由于在热退火过程中表面产生的大量V_(As)向内扩散,使表面层中的Ci填充V_(As)形成C_(As),从而使表面层的C_(As)受主浓度增加,导致形成低阻反型层。     

多孔硅蓝光发射与发光机制

在制备出光致发光能量为２．７ｅＶ的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究：测量了它的光致发光时间分辨光谱，用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模，研究了γ射线辐照对其发光的影响，并与发红、黄光的多孔硅作了对比，通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法，研究了光致发光峰能量为２．７ｅＶ的多孔硅发光稳定性．我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾，但能用量子限制／发光中心模型解释．我们认为多孔硅的２．７ｅＶ发光是多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯ_x层中某种特征发光中心引起的． 关键词：