支持多租约SaaS应用按需服务的负载均衡策略

负载均衡是支持多租约SaaS应用实现可扩展性的关键技术.针对现有的负载均衡策略无法适应多租约SaaS应用按需服务特点的问题,提出了一种支持多租约SaaS应用按需服务的负载均衡策略.基于对租约用户个性化需求的分析,建立了面向租约功能类型的服务器负载模型.面向租约用户非功能需求提出了系统资源预分配规则和算法,并基于系统资源...     

ICP微等离子体射流在快速成形制造中的应用

本文开展了大气压甚高频感应耦合(ICP)微等离子体射流的特性与应用研究.在150 MHz甚高频,功率为90 W条件下获得温度高达上千度的温热等离子体射流,射流长度近3 cm.随着气流量的增加射流将呈现层流到湍流的转变,长度先增后减;而功率对于射流长度的影响存在着一个上限,当等离子体吸收的能量与扩散损失的能量达到平衡时,射流长度将达到最大.利用这种ICP微等离子体射流进行了微尺寸金属铜的快速成形制造,得到了球冠状和柱状铜金属件.在扫描电子显微镜下观察到沉积物表面最小颗粒尺寸远小于铜粉颗粒;X射线衍射结果显示沉积物表面存在弱氧化物峰,这是沉积过程中空气被射流卷入所致.     

我给姥姥“压岁钱”

过了2013年的春节,我就11岁了。以前过年收的压岁钱,我都如数上交给爸妈。可今年,妈妈对我说：＂川川,你已经长大了,以后的压岁钱就由你自己管理。不过,妈妈有个要求,你要把钱花在最有意义的地方。＂100元、200元……不到两天的时间,我的压岁钱就涨到了1000元。看来,今年是个＂丰收年＂。     

大枣红了

在我老家的院子里,生长着一棵高大的枣树。听爸爸说,这棵枣树的年龄比我还要大!爸爸小时候家里穷,常买不起水果,一年到头,大家全指望着这棵枣树多结枣子以解馋。     

支持多租约个性化业务定制的SaaS业务-租约模型

面对多租约日益增长的个性化业务需求,目前大多数业务模型存在不能够灵活、简单地满足租约的个性化定制的问题,因此,提出了基于ex-WSCL的SaaS业务-租约模型(exWSCL-SBTM)作为SaaS业务流程描述方法.利用该模型以交互及变迁组织业务流程的特点,以及将业务端与租约端相分离的方式,能够提高多租约个性化业务定制的方便性和灵活性.在此基础上,给出了个性化业务定制操作行为的定义,以及提出了基于SBTM的多租约个性化业务定制框架.     

无环二烯烃易位聚合的研究进展

无环二烯烃易位聚合(ADMET)是烯烃复分解反应(OM)细分后的重要类别之一。ADMET基于Chauvin反应机理,利用金属卡宾络合物对碳碳双健进行重排。ADMET反应中能量驱动力不同于其他复分解反应,ADMET聚合可通过除去反应生成的乙烯控制,且多被用于生成有明确的主结构和主干取代物在精确位置的聚合物。本文综述了ADMET聚合的研究进展,包括Chauvin反应机理、钼基和钌基催化剂发展历程以及ADMET聚合演化、反应条件和应用。     

高气压直流辉光CH4/H2等离子体的气相过程诊断

对高气压(约100 Torr) 直流辉光碳氢等离子体的气相过程进行了光谱和质谱原位诊断. 在高气压下, 等离子体不同区域光发射特性存在明显差异. 正柱区存在着以C₂和CH为主的多个带状谱和分立谱线, 阳极区粒子发射谱线明显减少, 而在阴极区则出现大量复杂的光谱成分, 表明高气压情形下等离子体与阴极间强烈的相互作用将导致复杂的原子分子过程. 从低气压到高气压演变过程中, 电子激发温度降低而气体分子转动温度升高. 在高气压下, 高甲烷浓度导致C₂, C₂H₂及C₂H₄增多而C₂H₆减少. 表明在高气压条件下, 气体温度对气相过程的影响作用显著增强. 关键词： 高气压直流等离子体 光发射谱 质谱     

Effect of SiN:H_x passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs

This paper concentrates on the impact of SiN passivation layer deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on the Schottky characteristics in GaN high electron mobility transistors(HEMTs). Three types of SiN layers with different deposition conditions were deposited on GaN HEMTs. Atomic force microscope(AFM), capacitance-voltage(C-V), and Fourier transform infrared(FTIR) measurement were used to analyze the surface morphology, the electrical characterization, and the chemical bonding of SiN thin films, respectively. The better surface morphology was achieved from the device with lower gate leakage current. The fixed positive charge Q_f was extracted from C-V curves of Al/SiN/Si structures and quite different density of trap states(in the order of magnitude of 1011-1012 cm~(-2)) was observed.It was found that the least trap states were in accordance with the lowest gate leakage current. Furthermore, the chemical bonds and the %H in Si-H and N-H were figured from FTIR measurement, demonstrating an increase in the density of Q_f with the increasing %H in N-H. It reveals that the effect of SiN passivation can be improved in GaN-based HEMTs by modulating %H in Si-H and N-H, thus achieving a better Schottky characteristics.