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有机硅单体是有机硅工业的支柱,通常采用Rochow反应合成。在流化床膜反应器内考察CuCl催化剂形貌、反应温度、Si粉粒径及气体流化速度对Rochow反应的影响。结果表明,CuCl形貌对其催化性能影响不大;随着反应温度的降低,二甲基二氯硅烷(DMDC)选择性逐渐升高,优化后的反应温度为300℃,对应的DMDC选择性高达90%;当气速为1.1Umf,dmm/s(Umf,d为平均粒径为dμm的Si粉的临界流化速度),随着Si粉粒径的降低,DMDC选择性及Si粉转化率明显降低;相同气速下Si粉粒径的降低及相同Si粉粒径下气速的升高均会导致Si粉转化率下降,且操作气速为15.6 mm/s、Si粉粒径为200μm时,对应的DMDC选择性高达90%。 相似文献
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我们在单晶MgO(100)、Si(100)和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段:X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性。研究表明,在MgO(100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si(100)和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜。厚度均约6nm左右。这些超薄薄膜的超导转变温度分别为:MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别是8.74K和9.01K. 相似文献
3.
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。 相似文献
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5.
利用磁控溅射、电子束光刻和反应离子刻蚀等微加工技术,开展了超导纳米线单光子探测器(SNSPD)的研究.通过对SNSPD的设计和制备工艺参数的优化,成功制备出了高质量的SNSPD.单光子检测实验表明,制备的SNSPD对660 nm波长的光信号,系统检测效率可达30%,对1550 nm波长光信号,最大系统检测效率为4.2%.在平均暗计数小于10 c/s的情况下,系统检测效率大于20%(660 nm)和3%(1550 nm).
关键词:
单光子
氮化铌
纳米线
探测器 相似文献
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体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能. 我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结构作为AlN薄膜体声波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三层结构为谐振器.在这样的多层结构的设计中由于各种材料之间的晶格失配小,可以获得从几十纳米到几百纳米厚度不等的单晶AlN薄膜.通过控制AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以获得不同频段范围的谐振器. 压电薄膜的质量,以及体声波在多层结构界面上的能量损耗,直接影响到谐振器电学性能.基于AlN材料的压电性能,设计了NbN/AlN/NbN三层结构的谐振器,并进行了数值模拟. 相似文献
7.
利用高温超导Y1Ba2Cu2O7多晶样品制备了颗粒边界弱连接结,并对其传输特性进行了测量。实验观察到在有外磁场和微波幅照时,结的I-V特性曲线上出现了“亚谐波”感应台阶,台阶序号为1/2、3/2等半整数。 相似文献
8.
研究了从高温超导YBCO融熔织构材料中分离出单颗粒边界的工艺。采用聚酰亚胺材料作为绝缘层,从单颗粒上引起出电压测量引线,实现了对单颗粒边界传输特性的测量。实验观察到这类样品中的颗粒边界在不同的传输特性,包括磁通流类型和Josephson弱连接类型。 相似文献
9.
本文研究共形平坦的Randers 度量的性质. 证明了具有数量旗曲率的共形平坦的Randers 度量都是局部射影平坦的, 并且给出了这类度量的分类结果. 本文还证明了不存在非平凡的共形平坦且具有近迷向S 曲率的Randers 度量. 相似文献
10.
数字化古籍软件取得了迅速发展,用现代手段整理、开发、保存古籍文献,是古籍发展的趋势。但古籍数字化也存在许多问题和挑战。 相似文献