FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.     

铜试剂对聚氯乙烯的取代反应及其表征

用铜试剂聚代聚氯乙烯上的部分氯原子，可制备出含有多个二乙基二硫代氨基甲酸基的功能高分子。本工作研究取代反应温度，时间，反应物配比及催化剂对取代反应程度的影响，结果表明，当反应温度高于６０℃，时间大于６ｈ聚氯乙烯与铜试剂的质量比为２／１－３／１时，在丁铜介质中取代反应是定量进行的。     

最大度为6的极大外平面图的完备色数

证明了最大度为６的极大外平面图的完备色数为７。     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

盲信号分离的自稳定算法

在传统盲分离算法的迭代过程中，为了保证分离矩阵的行正交性，都要对其进行反复的正交化，以避免算法的不收敛。针对这个问题，笔者主要研究了在Stiefel Manifold上的盲分离算法，该算法使分离矩阵不需要每一步都进行正交化。仿真表明，本文提出的新算法具有很好的稳定性。     

自主创新 重点跨越 支持发展 引领未来——上海浦东新区隆重召开自主创新推进大会

4月6日,上海浦东新区隆重召开自主创新推进大会,贯彻落实全国和上海市科技大会精神。科技部火炬高新技术产业开发中心主任梁桂、上海市科委主任李逸平、上海市知识产权局局长陈志兴、中科院上海分院党组书记常务副院长华仁长等出席会议。     

MeV微集团束与物质的相互作用

简述了有关MeV微集团离子束与物质表面相互作用研究的概况．介绍了在北京大学技术物理系和重离子物理所１．７ＭＶ串列加速器上开展的有关实验研究及取得的初步结果． The recent development on investigation of MeV microcluster beam interaction with matter is outlined. And based on 5SDH 2 Pelletron of Peking University, some relative experimental results, such as identification and Rutherford backscattering measurement of MeV carbon cluster ions, stopping power of MeV silicon microcluster ions in Al film, damage producted in silicon by MeV silicon microcluster irradiation, etc. are briefly introduecd.     

新型紫外衍生试剂用于D-氨基酸的毛细管电泳分离

采用一种新型紫外衍生试剂对乙酰氨基苯磺酰氟(PAABS-F)作为柱前衍生试剂,成功地对19种标准D-氨基酸和甘氨酸进行了衍生和毛细管电泳分离。详细研究了各种分离条件对毛细管电泳分离的影响。实验结果表明:采用20 mmol/L硼砂(pH 9.3),126 mmol/L十二烷基硫酸钠,8 mmol/Lβ-环糊精和20mmol/L NaC l时分离结果最佳,16 m in内实现了20种氨基酸的基线分离。