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采用密度泛函理论(DFT)以及广义梯度近似方法(GGA)计算了甲酸根(HCOO)在Cu(110)、Ag(110)和Au(110)表面的吸附. 计算结果表明, 短桥位是最稳定的吸附位置, 计算的几何参数与以前的实验和计算结果吻合. 吸附热顺序为Cu(110)(-116 kJ·mol-1)>Ag(110)(-57 kJ·mol-1)>Au(110)(-27 kJ·mol-1), 与实验上甲酸根的分解温度相一致. 电子态密度分析表明, 吸附热顺序可以用吸附分子与金属d-带之间的Pauli 排斥来关联, 即排斥作用越大, 吸附越弱. 另外还从计算的吸附热数据以及实验上HCOO的分解温度估算了反应CO2+1/2H2→HCOO的活化能, 其大小顺序为Au(110)>Ag(110)>Cu(110). 相似文献
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利用对氧缺陷的TiO2-B材料进行密度泛函理论的计算,阐述了氧空穴对于TiO2-B材料的电化学性质的影响。计算研究主要聚焦于缺陷材料的锂离子迁移和电子导电性等基本问题。计算结果表明在低锂离子浓度下(x(Li/Ti)≤ 0.25),相比于无缺陷的TiO2-B,氧缺陷TiO2-B有着更高的插入电压和更低的b轴方向迁移活化能,意味着锂离子的嵌入也更容易,这对于可充电电池的充电过程是有利的。而在高浓度下(x(Li/Ti) = 1),锂饱和的氧缺陷TiO2-B相较于无缺陷的TiO2-B有着较低的插入电压,更有利于锂离子的脱嵌过程,这对于可充电电池的放电过程也是有利的。电子结构计算表明缺陷材料的禁带宽度在1.0-2.0 eV之间,低于无缺陷的材料的3.0 eV。主要态密度贡献者是Ti-Ov-3d,并且随着氧空穴的增加它的强度也变得更强。这就表明氧缺陷TiO2-B有更好的电子导电性。 相似文献
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应用从头计算分子轨道方法,在HF/MINI/ECP和UHF/MINI/ECP水平上对Mo 相似文献
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等离子体反应的统计热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
通过热力学及统计力学分析,在定量、定压条件及局域平衡近似下,得出了体系各组分的分布与他们配分函数之间的关系;在此基础上,以煤等离子体热解反应制乙炔中起重要作用的物质氢为例,计算了不同温度下该物质组分H2,H2+,H和H+的分布;基本正确地描述了在氢在等离子体反应发生器及等离子体反应器的状态,为进一步深入研究提供了参考。 相似文献
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应用Gauss View软件构建了A型分子筛Si24O36,Si12Al12O36,Si12Al12O3162-的β笼的基本模型,并应用Gaussian 03程序在HF/cep-31g水平上对这些模型进行构型优化和频率分析,结果表明:随着硅铝比的减小和电荷的增加,β笼的总能量和结合能升高;硅铝比变化的取代效应对总能量的影响比电荷变化对总能量的影响更加明显。在此基础上,把N2,CO,H2O分子放入笼内进行优化,分析了它们的位置、构型变化和作用能量变化,确定了这些分子与笼之间的吸附类型为物理吸附。 相似文献