多碱光电阴极光电信息测试结果与分析

该文根据多碱光是阴极光学信息和光电流监控原理，给出了理论模型，研制了测试仪器，例举了测量结果，并对此作了简单分析，理论的多碱光电阴极光学反射率Ｒ（ｄ）和实测的Ｒ（ｄ）比较可以控制阴极成分，并给出阴极厚度的信息、多碱光电阴极的单色光电流Ｉ（ｄ）、光电子逸出深度以及大量的工艺信息，借此可以调整工艺，改善光电阴极的光谱响应。     

铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析

利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示,铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降,长波响应受到最显著的影响,表现为800~815 nm之间长波响应大幅度衰减,截止波长和峰值波长向短波移动,峰值响应和积分灵敏度减小,最终的光谱响应曲线变得平坦。阴极参量的计算结果反映铟封后阴极的表面逸出几率降低,说明铟封引起阴极表面激活层发生变化,使得能量较低的长波段光生电子不容易逸出,阴极长波响应和灵敏度随之降低。进一步分析了铟封过程中影响阴极表面激活层的因素。     

激光指示器光轴调校技术

利用反射式光学系统对激光指示器的光轴进行了调校。提出了激光指示器及观瞄装置的光轴校正方案,并建立了调校装置。该装置由离轴抛物面反射镜、十字靶标、背景光源、图像采集装置及其它附件组成。对调校装置的测量精度进行了标定和计算。结果表明,该装置的测量精度可达到0.05mrad。利用该装置对激光指示器的光轴进行了调校,并给出了系统示意图和测试效果。     

半透明多碱阴极浅氧敏化研究

根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。     

三碱阴极量子产额谱的研究

本文讨论了Na_2KSb(Cs)光电阴极的量子产额。引进阴极结构参数P和单晶吸收系数α_p(hv),推导了半透明多碱阴极量子产额表达式。通过选择合适参数,求得的S_(20),S_(20R),S_(25),V_(aro),New S_(25)和LEP~*(＊法国电子学和应用物理实验室制备的三碱阴极)光电阴极的量子产额谱与实验完全一致。文中还计算了理想三碱阴极的量子产额。结果表明三碱阴极仍是很有发展潜力的实用光电阴极。     

一种新型低噪声MCP的研究

背景噪声是造成二代像管成品率低的重要因素，微通道板产生的噪声是二代像管背景噪声的主要来源，该文分析微通道板的主要噪声来源，阐明产生光子散射和电子散射的机理，通过对微通道板输入表面采用扩口技术，提高微通道板的开口面积比，降低微通道板的噪声，提高其分辨率，为进一步的工艺研究提供依据。     

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。     

析碱金属前处理阴极基底的作用

本文针对S_(20)光电阴极标准工艺中测锑膜透过率存在的具体困难,回顾了碱金属前处理阴极基底的演变过程,认为新型多碱阴极的高灵敏度和好的光谱响应是碱金属前处理阴极基底的结果。本文从工艺的难易程度,残余气体对锑层的污染,玻璃的有关物理化学性质等几方面分析了碱金属前处理阴极基底的作用,认为碱金属前处理阴极基底等于在阴极和基底之间引进了一层增透膜。     

Transmission-mode GaN photocathode based on graded Al_xGa_(1-x)N buffer layer

We create a GaN photocathode based on graded Alx Ga1-x N buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer interface on the photoemission of transmission-mode GaN photocathodes.A gateshaped spectral response with a 260-nm starting wavelength and a 375-nm cut-off wavelength is obtained.Average quantum efficiency is 15% and short wavelength responses are almost equivalent to long wavelength ones.The fitted interface recombination velocity is 5×104 cm/s,with negligible magnitude,proving that the design of the graded buffer layers is efficient in obtaining good interface quality between the buffer and the emission layer.     

反射式负电子亲和势GaN光电阴极的光电发射及稳定性研究

利用在线多信息紫外光电阴极激活评估系统,测试了真空室内两个GaN 光电阴极Cs,O激活后及衰减6 h和18 h后补Cs的光谱响应特性曲线和量子效率曲线;并绘制了光纤光源波长为300 nm的光电阴极响应电流衰减变化曲线.实验结果证明,GaN 光电阴极较GaAs阴极具有更好的稳定性,量子效率可保持相对稳定达10 h,然后缓慢衰减,衰减速率较窄禁带半导体材料低得多.补Cs后光电流最大值较刚激活完有16.8%的增长,这充分证明阴极表面量子效率衰减的原因是Cs的脱附,而不是O的吸附.这些现象可由双偶极层模型来解释, 关键词： 光学 光电阴极 量子效率 稳定性