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1.
Eu(DBM)_3TPPO的晶体结构和荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
C_(63)H_(51)O_7PEu,三斜晶系,空间群,a=12.336(3),b=18.729(5),c=11.502(3),α=95.86(2),β=103.14(2),γ=87.89(2)°,Z=2,D_x=1.39gcm~(-3)。用6989个I>3σ(I)的可观察衍射数据对72个非氢原子的原子坐标和各向异性温度因子进行全矩阵最小二乘精修,最终的偏离因子R=0.055。中心离子Eu(Ⅲ)由七个氧原子配位,配位多面体为畸变的单帽三棱柱体,帽位由TPPO的氧原子占据,Eu—O原子间距在2.305(4)—2.367(4)之间。77K下测定了配合物的高分辨激光激发和发射光谱,结果表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有两种格位,一具C_(2v)点对称性,另一具C_s点对称性。具有较低对称性C_s的物种在配合物中占绝对优势。77K下还记录了掺1%铕的配合物Gd(DBM)_3TPPO的发射光谱,结果表明Gd(Ⅲ)离子具有与标题化合物中Eu(Ⅲ)离子相同的格位。 相似文献
2.
2007年5月28日,教育部科技司组织专家组对我校药用植物资源与天然药物化学教育部重点实验室建设项目进行了验收。专家组由第四军医大学杨安钢教授、北京中医药大学王文全教授、北京大学饶光远教授等7人组成,杨安钢教授任专家组组长。我校副校长萧正洪、科技处处长刘昭铁、生命科学学院王拮之院长等参加了验收会。验收会由教育部科技司张中民同志主持。 相似文献
3.
对溴分子在68800-7200cm^-1范围内的两个被观察到的[^2Π3/2]4d偶宇称里堡态的转动光谱进行了计算模拟,确定了转动常数,并且证实了原先对实验光谱的传动结构和电子角动量的标识。 相似文献
4.
5.
Effects of Substrate Temperature on Helium Content and Microstructure of Nanocrystalline Titanium Films 下载免费PDF全文
Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition'parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of (002) crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of (100) crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening. 相似文献
6.
研究晶体的生长形态与形成该形态的物理化学条件,最终控制显微结构的形成,是材料科学的重要研究任务。本文研究了工业应用的电熔AZS材料中出现斜锆石晶相,刚玉斜锆石共晶体、斜锆石-莫来石共晶体的形貌。从凝固过程出发,运用界面结构理论及成分过冷等概念,对AZS材料中各晶相的形貌及其形成的物理化学条件关联起来进行了讨论。 相似文献
7.
8.
9.
对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析以以半导体光放大器(SOA)为基础的对称马赫-曾德尔干涉仪(MZI)解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播(CPMZ)与同向传播(TPMZ)两种工作模式下的开关特性。研究表明:控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小,是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时,如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间,控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化;当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时,即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间,峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时,控制脉冲应尽可能窄,且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比,而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。 相似文献
10.