脉冲电视热成像无损探伤装置的研制

介绍我们研制的国内首台脉冲电视热成像无损探伤装置及该技术的基本原理和检测方法．利用该装置，对不同材料的试件进行了探伤研究，给出了探伤结果     

脉冲加热源的特性研究

脉冲加热源是我们实验室自行研制的脉冲加热红外热成像无损探伤系统的关键部分．本文通过一系列的实验首次研究了脉冲加热源的时间特性和空间特性，指出了影响时间特性和空间特性的主要因素，为该无损探伤系统进一步研究提供了可靠的实验数据     

浸没式光刻机对焦控制技术研究

随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据系统结构分析出一系列误差源,研究了这些误差对总离焦误差的贡献方式及其与总离焦误差的关系。研究结果表明:由于光刻对焦误差中存在非正态分布的误差贡献项,常规正态统计分布使用的3_σ原则就无法满足99.7%的对焦成功率要求;在28,14,7nm技术节点集成电路芯片制造过程中,采用3_σ和4_σ原则得到的浸没光刻工艺总对焦成功率之差分别为28.4%、55.1%、62.9%。为了达到99.7%的对焦成功率,浸没式光刻机对焦控制应采用4_σ原则。     

基于空间分光的纳米级调焦调平测量技术EI北大核心CSCD

随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,调焦调平系统的测量精度达到几十纳米。在纳米尺度范围内,集成电路(IC)工艺对调焦调平测量精度的影响很大。提出一种基于光学三角法和叠栅条纹法的调焦调平测量技术,利用空间分光系统将两组位相差为π的叠栅条纹同时成像到两个探测器上,通过归一化差分的方法计算硅片高度,可有效降低调焦调平测量技术对IC工艺的敏感度,尤其是IC工艺导致的光强变化的敏感性。实验结果表明,该系统测量重复性精度为8nm(3σ),线性精度为18nm(3σ)。当测量光强变化达90%时,该测量技术引起的线性精度变化为15nm(3σ);当光强变化为65%时,线性精度变化小于1nm(3σ)。     

双光子激发NO分子里德伯态H~(''''2)Ⅱ~-的光谱研究

本文采用激光双光子激发的方法对NO分子的里德伯态H~(12)Ⅱ-(v=1,2)进行了研究,得到了该能级的光谱常数;观测到了H~(12)Ⅱ-与非里德伯态B~2Ⅱ之间的相互作用现象,并计算出了相应的转动能级位移;研究了H~(12)Ⅱ-能级的主要荧光跃迁通道。     

调焦调平传感器增益系数工艺相关性研究

针对先进光刻调焦调平传感器系统的增益系数工艺相关性开展理论仿真与实验研究.建立了增益系数工艺相关性理论模型,仿真分析了调焦调平传感器增益系数与测量误差随不同光刻工艺材料膜层厚度的变化规律.在自研实验系统上对表面涂覆不同厚度SiO2薄膜的硅片样品进行了实验验证,发现实验与理论仿真得到的增益系数与测量误差随膜层厚度的变化规...     

红外热成像无损探伤技术的应用研究

本文介绍了红外热成像无损探伤技术的基本原理和检测方法.采用该技术对机车车辆的一些部件进行了探伤,并给出了检测结果的红外热图像,表明该技术在铁路部门具有广阔的应用前景.     

图象处理在脉冲加热红外热成像定量检测中的应用

在红外热图象的分析研究中,由于噪声和热扩散效应,引起图象模糊和边缘扩散,影响了图象的进一步分析和面积大小的确定．为了改善图象质量,对本实验系统中得到的红外热图象进行了图象平均、中值滤波、二值化和梯度变换等处理．经过处理后的图象特征清楚,定量检测缺陷面积误差一般小于６％．