a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

供钾水平对空心莲子草富集3种重金属能力的影响

以空心莲子草(Alternanthera philoxeroides)作为研究材料,通过模拟富营养化水体实验,研究空心莲子草在消减重金属污染方面的能力;同时通过供应足量钾离子,进一步揭示空心莲子草植株钾离子水平与重金属富集能力及抗逆之间的关系.研究结果表明,空心莲子草对重金属元素Mn2+、pb2+及Cd2+有较好的富集能力,主要在地上部积累;空心莲子草对这3种重金属元素的敏感程度为Cd2+＞ Pb2+＞Mn2+;在低浓度(1mM)K+供应下,高浓度(500 μM)的Mn2+、pb2+及Cd2+处理明显抑制空心莲子草的生长(Mn2+ 、pb2+抑制作用主要发生在根系,Cr3+抑制植物整株),与对照相比,生物干重分别降低8.7％、22.60％与74％,提高K+浓度(10mM)可显著缓解这3种重金属对植株生长的抑制,生物干重分别有效提高22.2％ 、39.3％与90.7％;此外,提高K+浓度(10mM)可显著提升植株对这3种重金属的耐受力和富集能力,整株水平上富集量分别提高23％、19％及30％.     

B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

本文用 ¹¹B(p,a)⁸ Be(E_{r=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。 关键词：}     

a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。     

间接血凝试验在鼠疫监测中的应用和研究进展

目的：介绍间接血凝试验在我国鼠疫监测中的应用和研究进展。方法：查阅近年国内相关文献。结果：间接血凝试验仍是国内外一致公认鼠疫追溯诊断的有效方法，也是我国应用最为广泛的一种血清学诊断方法。但是它还存在一些待于解决的问题。结论：该方法仍需继续改进，应在鼠疫监测中与其他血清学诊断方法联合使用，并结合病原学和流行病学结果作出最后的结论。     

我国鼠疫自然疫源地监测指标研究概况

目的:综述我国鼠疫自然疫源地监测指标等方面的研究进展.方法:光盘检索及手工检索有关文献,归纳综合整理.结果:鼠疫监测指标需要统一.结论:通过监测可以及时发现疫情,为制定防治对策及疫情预测预报提供科学依据.     

轮状病毒感染实验动物模型的研究进展

目的了解轮状病毒实验动物模型的研究进展,为进一步完善轮状病毒实验动物模型提供依据。方法查阅近几年国内外有关轮状病毒感染动物模型研究文献,对不同类型的动物模型进行综述。结果经对该类实验动物模型研究进展进行总结分析,以期能为科学合理地选择轮状病毒动物模型进行科学研究提供一定的参考。结论实验动物疾病动物模型对开展轮状病毒感染疫病的发生、发展机制与药物研发具有不可或缺且极其重要的作用。     

GROWTH OF PREFERENTIALLY ORIENTED CUBIC BORON NITRIDE FILMS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Preferentially oriented cubic boron nitride films on nickel substrates have been grown using hot-filament-assisted rf plasma chemical vapor deposition method. X-ray photoelectron spectroscopy shows that the cubic boron nitride films are stoichiometric. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction show that the films are of high quality with well-faceted and (220) preferentially oriented grains, without X-ray diffraction detectable hexagonal boron nitride phase. The nucleation and growth process has been investigated. After 40min deposition, well aligned, well faceted cubic boron nitride nuclei can be seen on the substrnies, and after 2 h deposition, the rectangular grains can be seen on the substrate with their corresponding edges parallel to each other in scanning electron microscopic images. The ratio of the diffraction peak height of (220) face to that of (111) face is about 5.2 in the X-ray diffraction pattern, but the corresponding value of the random cubic boron nitride crystallites is only 0.06.     

a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

硼对a—Si：H薄膜中氢含量的影响

应用核反应分析法（ＮＲＡ）测量了反应溅射法制备的ａ－ＳｉＨ（Ｂ）薄膜中Ｂ和Ｈ的含量．结果表明：当掺杂比率Ｙｇ（＝［Ｂ２Ｈ２］／（［Ａｒ］＋［Ｈ２］））由１０－６增大到１．４×１０－２时，样品中的硼含量ｃＢ由１．０×１０１８线性增大到１．４×１０２２ａｔｃｍ－３；而氢含量的变化分为三个区域：在微掺硼情况（Ｙｇ＝１０－６），样品中氢含量较未掺硼时高出１０％；当Ｙｇ＝１０－６到１０－３变化时，Ｈ含量ｃＨ由２８％线性减少到１７％；在Ｙｇ＝１０－３时，Ｈ含量达极小值，此后，Ｙｇ增大，Ｈ含量随之增大．