准一维电荷密度波材料Ta2NiSe7 的转角及变温拉曼光谱研究

近年来, 低维过渡金属硫族化合物Ta2NiSe7 因其独特的电荷密度波和特殊的拓扑能带结构而引起广泛关注. 本文利用拉曼光谱技术对准一维电荷密度波材料Ta2NiSe7 的声子模式进行了系统研究. 角度依赖的偏振拉曼光谱实验表明室温下可以观测到19 个拉曼峰, 且所有观察到的拉曼模式强度随样品旋转呈周期性变化, 这意味着Ta2NiSe7 具有较高的面内各向异性. 通过群论分析, 我们确定了拉曼峰的具体模式为Ag 和Bg 两种原子振动模式. 在温度依赖的偏振拉曼光谱测量中, 我们在低温下还观察到了新的声子峰, 推测与电荷密度波结构调制引起的晶格畸变有关. 本研究提供了对Ta2NiSe7 声子振动的全面理解, 这可能为进一步研究电荷密度波与声子振动之间的关联提供参考意义.     

认知无线电网络中保证服务质量的优化路由协议

基于路由与频谱管理的依赖关系,提出了一种频谱自觉地满足不同业务服务质量需求的优化路由协议.首先建立网络模型和优化分析,定义了链路度量和路径度量指标,路由协议选择端到端时延最小的路径,最大化网络吞吐量.然后提出了子频段和路径联合优化选择算法,对实时业务优先选择带宽抖动小和切换时延小的子频段及下一跳;对尽力传递业务优先选择带宽大的子频段及下一跳.最后提出频谱自觉的路由维护,通过局部频谱调整算法稳定路径不变,保证业务服务质量.仿真结果表明：该路由协议能满足业务服务质量需求,优化网络资源使用,减少数据包丢失,提高网络吞吐量.     

基于慢动力法的受压扭管柱静力屈曲分析

钻井和螺杆泵采油等管柱,作业时同时承受轴向压力和扭矩载荷作用,提出了慢动力法计算管柱的压扭屈曲问题.利用瞬态动力学方法解决静力学问题的思想,分析了慢动力法中载荷的施加,以及阻尼和子步数的选取策略.数值结果表明：在轴向压力与扭矩单独或同时作用时,求得的有限元解均与解析解吻合较好.文章还分析了慢动力法计算效率的影响因素.     

利用垂直腔表面发射激光器注入锁定实现上变频

提出了一种基于垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的无本振光子微波上变频方案。该方案将相对低速的伪随机基带信号注入VCSEL中,利用注入信号的高次谐波注入锁定VCSEL。被锁定激光器波长与原注入光信号在谐振腔中相干差拍,产生上变频调幅微波信号。实验中利用2.5Gb/s非归零码强度调制信号注入锁定VCSEL,无需本振,实现了载波频率为14.3GHz的光子微波上变频,10kHz偏移处载波相位噪声达-81dBc/Hz。通过调节注入光信号的波长和功率,进一步实现载波频率在7.5~23GHz之间的调谐,验证了该方案的可行性,并对系统性能进行了误码分析,系统代价为1.4dB。结果证明该方案无需微波本振,仅需采用价格低廉的VCSEL即可实现光子微波上变频,从而为无线光混合接入网中光子微波信号产生技术提供了一种低成本的解决思路。     

基于离心模型试验的砂土管涌特性研究

根据离心模拟技术的特点,运用自行研制的离心模拟试验装置,对几种不同颗粒组成的砂土进行了1g重力加速度和Ng离心加速度下的室内管涌试验.在相同试验容器内进行相同颗粒含量、相同密度和相同尺寸的砂土常规试验和离心模拟试验.砂土离心模拟试验结果表明:离心模拟技术可以用来模拟砂土的管涌特性;砂土在Ng离心加速度下的临界水力梯度与1g重力加速度下的临界水力梯度之比为0.8~1.0.     

Pressure-induced enhancement of optoelectronic properties in PtS_2

PtS_2, which is one of the group-10 transition metal dichalcogenides, attracts increasing attention due to its extraordinary properties under external modulations as predicted by theory, such as tunable bandgap and indirect-to-direct gap transition under strain; however, these properties have not been verified experimentally. Here we report the first experimental exploration of its optoelectronic properties under external pressure. We find that the photocurrent is weakly pressuredependent below 3 GPa but increases significantly in the pressure range of 3 GPa–4 GPa, with a maximum ～ 6 times higher than that at ambient pressure. X-ray diffraction data shows that no structural phase transition can be observed up to26.8 GPa, which indicates a stable lattice structure of PtS_2 under high pressure. This is further supported by our Raman measurements with an observation of linear blue-shifts of the two Raman-active modes to 6.4 GPa. The pressure-enhanced photocurrent is related to the indirect-to-direct/quasi-direct bandgap transition under pressure, resembling the gap behavior under compression strain as predicted theoretically.     

聚醚醚酮/羟基磷灰石复合植入物的制备及性能研究

为了解决聚醚醚酮(PEEK)无法满足植入物材料的生物学性能要求的难题,提出采用熔融沉积成形(FDM)和溶液共混的方法,在聚醚醚酮基体表面涂覆聚醚醚酮/羟基磷灰石(HA)复合涂层,增强涂层与基体之间的结合,制备出高强度高生物活性的复合植入物,并研究了HA含量、烧结温度和烧结时间对复合植入物力学性能的影响。根据缺损模型制备出了具有复杂结构的个性化狗下颌髁状突PEEK/HA复合假体,对假体形状精度进行了评价,完成了假体置换实验,结合细胞毒性实验对复合植入物的生物相容性进行了评价。研究结果表明:HA的质量分数为40%时,涂层与基体结合强度较好。当烧结温度为240℃、烧结时间为20 min时,涂覆效果和样件的力学性能最好。细胞毒性实验和假体置换实验结果表明,采用该工艺制造的复合假体具有优良的生物相容性,且形状精度满足使用要求。     

星载测风激光雷达355 nm光学鉴频器及闭环控制系统

三通道355 nm光学鉴频器广泛应用在星载测风激光雷达回波信号鉴频过程中,是实现双边缘风速多普勒鉴频的核心元件,其指标与可靠性决定了系统的探测精度。研制了基于压电换能器(piezo-electric transducer, PZT)调谐的355 nm三通道标准具鉴频模块,模块有效口径35 mm,峰值透过率75%,自由光谱范围12.5 GHz,半高宽1.7 GHz。通过三通道测试系统对自由光谱范围、半高宽、峰值透过率、调谐系数等指标进行了测试。结果表明：当外部驱动电压为75 V时,峰值透过率分别为0.859、0.878和0.735,半高全宽分别为1.843 GHz、1.882 GHz和1.611 GHz,调谐系数为1.96 GHz/V、1.93 GHz/V和1.88 GHz/V。针对光学鉴频模块3个通道PZT调谐系数不一致的情况,分析出对风速误差的影响范围为±0.1 m/s。通过对闭环控制系统进行测试,该系统可实现对355 nm激光发射频率的实时锁定,解决了光学鉴频模块每次工作状态初始位置不一致带来的问题,提高了风速鉴频精度,可实现锁定时间长达30 min以上,满足了星载测风激光雷达的应...     

离子凝胶反应法制备壳聚糖/N,O-羧甲基壳聚糖微球

以一氯乙酸与壳聚糖反应形成N,O-羧甲基壳聚糖两性聚电解质,分光光度法测定其等电点IEP=2．86。以此两性聚电解质与壳聚糖可以在一定条件下形成微球,光学显微镜和电子显微镜测试表明,控制两种聚电解质配比可以制备不同粒径大小的微球,而超声功率对微球粒径的影响较小。红外光谱测试表明微球中N,O-羧甲基壳聚糖羧基以羧酸根形式存在,分光光度与电导法联合测定表明两种聚电解质以离子凝胶作用形成微球,其最佳制备条件为IEP（CM-CHITOSAN）〈pH〈pKa（CS）,在此较宽的pH值范围内微球可稳定存在。     

准一维链状半导体BiSeI低温物性研究

A^ⅤB^ⅥC^Ⅶ(A=Bi,Sb;B=S,Se;C=I,Br)体系是一类典型的准一维链状半导体材料.由于其特殊的晶格和能带结构,A^ⅤB^ⅥC^Ⅶ体系表现出丰富的物性,如:铁电、压电、热电和光电导特性等,在太阳能电池、光电探测器及超级电容器等领域有着广泛的应用前景,引起了人们广泛的研究兴趣.其中,SbSI在低温下伴随铁电自发极化会出现反常的负热膨胀现象.BiSeI与SbSI结构类似,低温下的物性值得进一步研究.本工作利用物理气相输运法制备了高质量的BiSeI单晶样品,并利用Raman光谱、电输运测量、XRD及光致发光谱(PL)对其低温下的电输运、振动及结构性质进行了系统的研究.随温度降低,PL光谱结果表明低温下能隙内出现激子能级.低温Raman及XRD结果表明测试温区(10～300 K)内其结构对称性无明显改变.然而随温度降低,晶格在200～300 K范围内发生明显的负热膨胀现象.类比于SbSI,我们将BiSeI中的负热膨胀现象归因于410 K发生的反铁电相变.此工...