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硅多条探测器的研制和初步应用 总被引:3,自引:0,他引:3
描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果. 这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm. P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间距为140μm. 当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.239Pu α粒子的能量分辨为0.5%-0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%-8%. 用于 7.2 MeV/u的C束离子测量,得到能量分辨为0.27%. 相似文献
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金属硅化物—硅功率肖特基二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流-电压法和电容-电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/N-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物-n型硅肖特功率二极管有优异的电学性能。 相似文献
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本文采用S-抢磁控溅射系统淀积ZrN薄膜,用扫描电镜、X射线衍射、反射电子衍射、俄歇电子能谱和电学测量等方法研究了衬底负偏压溅射和溅射两种工艺方法淀积的ZrN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率。结果表明,适当增大溅射功率,采用衬底负偏压溅射方法,有效地减少了氧的沾污,使得所淀积的ZrN薄膜的电学性能有明显改善。 相似文献
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