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采用磁控溅射方法在柔性聚酰亚胺(PI)基体上沉积了Cu-Mo合金薄膜,对样品进行了真空退火处理。利用X射线、场发射扫描电镜、能谱仪表征了退火前后合金膜及纯Cu膜的成分、物相结构、表面形貌,分析了退火处理对合金膜微观结构的影响以及退火后合金膜表面Cu颗粒的形成机理。研究结果表明:退火处理后合金膜微观结构发生了明显变化。退火后Cu-21.3%Mo合金膜表面自形成了大量多面体Cu颗粒,颗粒尺寸为几十纳米到数百纳米,并且随着退火温度逐渐升高,薄膜表面自形成颗粒数量逐渐增加。 相似文献
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研究了不同冷轧压下率对铸轧法制备的 Cu／Al复合板材界面微观组织和力学性能的影响。研究结果表明：冷轧过程中压下率过大时界面层会发生断裂而破碎,进而影响复合材料性能。冷轧压下率从29％逐渐增加到57％时,界面层的破碎程度逐渐加重,复合板抗拉强度逐渐增大,延伸率则随之下降,同时剥离强度先迅速减弱后缓慢增强。当冷轧压下率达到57％时,界面扩散层被严重破坏,形成大量纯铜和纯铝直接接触、无明显扩散的结合界面,铜铝复合板主要靠机械咬合力结合。 相似文献
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采用反应磁控溅射技术,在单晶Si(100)面基底上制备了4个氮分压条件下Ta-Ru-N扩散阻挡层薄膜。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)以及四探针电阻测试仪(FPP),对所制备薄膜的相结构、表面形貌和电学性能进行了表征,研究了氮分压对薄膜微观组织和性能的影响。研究结果表明:制备的Ta-Ru-N薄膜为非晶态,适量氮气的加入能够提高薄膜表面的平整度,薄膜方阻随着氮分压的增加而逐渐增加。 相似文献
4.
采用磁控溅射方法同时在Si(100)和聚酰亚胺(PI)基体上沉积W膜,对比研究不同基体约束对纳米晶W膜微观结构及应力诱导的开裂行为的影响.结果发现,在两种基体上W膜的裂纹形态明显不同.在Si基体上W膜的裂纹呈楔形,而在PI基体上W膜的裂纹呈半圆柱形凸起于薄膜表面.这种裂纹形态的差异源于两种基体上W膜的变形机理不同.在刚性Si基体上,W膜的裂纹扩展是通过晶粒平面内的转动实现的,而在柔性PI基体上W膜裂纹扩展是通过排列晶粒在平面内、外的转动协调完成的.分析表明,两种截然不同的开裂行为与不同基体上薄膜内应力的变
关键词：
W膜
残余应力
裂纹
晶粒 相似文献
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