高频无极环形气体放电离子源理论的研究——Ⅱ.外磁场中的放电特性

本文研究了外磁场中(包括纵向磁场、横向磁场和磁四极场三种情况)高频无极环形气体放电离子源的工作特性,给出了有关量的分析表达式.     

高频无极环形放电离子源理论的研究——(1)场分布和等离子体特征参数

高频无极环形气体放电空间的电磁场分布是研究高频无极环形气体放电离子源—系列物理、技术问题的最基本的前提.本文给出了电磁场分布表达式和等离子体特征参数,并进一步给出了有关量的计算公式.     

高频无极环形气体放电离子源理论的研究——Ⅲ、外磁场中的共振特性

本文研究了在外加磁场中(包括纵向、横向和四极磁场等三种磁场构形)高频无极环形气体放电的共振特性.阐明了共振放电的性质和给出了产生共振放电的物理条件.     

200keV中子发生器离子源供电光纤控制系统

针对高压舱电源测控需要，利用光纤技术和开关电源技术，设计了200keV中子发生器的离子源供电控制数字显示系统。     

磁四极场中高频放电特性的研究

本文研究了磁四极场中的高频放电特性。给出了某些定量关系,为磁四极场用于高频离子源提供了实验依据。     

高频离子源的多孔引出

采用单孔引出系统的Moak型高频直流源,要引出十几毫安的离子流,必须选取孔道直径较粗长度较短的吸极,提高高频振荡器的输出功率和引出电压,但是,在上述情况下,会导致源的气耗量迅速的增加;使源的散热问题变得突出并降低源的功效;往往也会增加吸极的热负荷,降低源的工作寿命,为克服上述困难,有人曾采用过多孔引出系统。 由于源的气耗量正比于(2X_2)~3/L,输出流强正比于(2X_2)~2/L~2,这里,2X_2和L分别是吸极孔道的直径和长度,所以和单孔引出相比,采用多孔引出具有以下优点:在不增加源的气耗量(即多孔源的气耗量和单孔源等效)的情况下,可获得较大的离子流,相应地降低对振荡器输出功率和引出电压的要求;可以改善离子流密度沿束截面的分布(即由高斯分布改善为准矩形分布),当束流用作轰击核靶时,有利于改善靶子热负荷的均匀性;可以降低束流的体电荷效应,从而改善束流的发射度。     

带电粒子束传输中横向发散的类ABCD定律

 傍轴近似下带电粒子束传输可完全类比于近轴光线椭圆高斯光束的传输。基于这种类比，建立了带电粒子束传输中横向发散的复曲率半径的类ABCD定律，引入了带电粒子在横向的复曲率半径的概念，并以复曲率半径的实部表征带电粒子束的敛散特性，虚部表征带电粒子束的束斑大小。由此提出：带电粒子束整体可被看作类椭圆高斯光束，其发射度与光束波长的作用相同。通过这种类比可知，在适宜的加速器环境下，理论上可能产生相干带电粒子束。     

强直流双等离子体离子源

本文报导了一个强直流输出的双等离子体氢(氘)离子源.当引出电压为18kv 时,可输出100mA 的氢离子流.利用90°偏转磁分析器对引出束流的质量成分作了分析,质子比可达到64%.采用多缝探针法和离子束感光法测定了束流发射度和亮度.在输出流强为50mA,束能量为16kev 时,束流的归一化发射度(相空间面积×βΥ/π)和归一化亮度分别为0.48mm·mrad 和4.4×10~6A/cm~2·rad~2.在不同的工作参数下,测定了源的运行特性.     

强流重离子双等离子体离子源—兼论源的输出流强对离子质量依赖关系的实验验证

本文给出了利用双等离子体离子源产生氦(He),氮(N_2),氧(O_2),氖氦混合(78%Nc+22%He)和氩(Ar)等离子的实经结果.当孤流为5A,引出电压力20KV 时,可给出59mA 的氖离子流,48mA 的氮离子流,35mA 的氧离子流,41mA 的氖氦混合离子流和22mA 的氩离子流.在源引出系统的几何参数和源的工作参数保持不变的条件下,实验验证了源的输出流强对离子质量的依赖关系,即(?).