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利用电流加速方法(FCSAM;E-B结反偏、C-B结正偏应力)对0.35um BiCMOS工艺SiGe HBT的热载流子效应可靠性进行了评价研究。研究结果表明,随应力时间的增加,SiGe HBT电流放大系数逐步退化,相比传统的电压加速退化方法(OCSAM:E-B结反偏)试验,FCSAM显著缩短了实验时间。 相似文献
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