m面蓝宝石上外延（110）取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究

由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的Mg_xZn_1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明：Zn摩尔分数达到55%的Mg_0.45Zn_0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为（110）_MgZnO‖（1010）_sapphire、[001]_MgZnO‖[1210]_sapphire和[110]_MgZnO‖[0001]_sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于（110）取向立方相Mg_0.45Zn_0.55O薄膜制备金属-半导体-金属（MSM）结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。     

通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性

使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到10¹⁶ cm^-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。     

基于Ansys的弹体入水动力过程分析

针对发射入水时就面临着结构损坏,内部器件失灵,水面弹跳、冒水、反转、沉底、失控等诸多失效现象问题,研究了解弹体结构高速入水所受的冲击载荷下弹体正、斜入水时弹体和水的动力相应过程.     

Improving the performance of a GaAs nanowire photodetector using surface plasmon polaritons

GaAs nanowires (NWs) are ideal materials for preparing near-infrared photodetectors owing to their high charge carrier mobility and direct band gap. Although the performance of GaAs NW photodetectors can be enhanced by surface passivation or doping, it still cannot meet the requirement for applications. In this paper we propose a method to greatly improve the performances of GaAs NW photodetectors by hot-hole injection via surface plasmon polaritons. In this case, the responsivity of a single GaAs NW photodetector is increased by a fact of 3.2 to 6.56 A· W^-1 by attaching capsule-like Au nanoparticles to its surface. This research uses an efficient route to improve the NW photocurrent, which is also important for the development of a high-performance near-infrared NW photodetecor.     

不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究

ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为10¹⁹ cm^-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。     

输液瓶的吸附作用对胰岛素输注过程中浓度变化的影响

为了解胰岛素注射液在输液过程中的浓度变化情况,指导临床合理操作,模拟了临床胰岛素配液以及输注操作过程,实验分为玻璃瓶组和塑料瓶组,各组又按操作的不同分为输液组和吸附组.采用紫外分光光度法测定胰岛素浓度.输液组流速为50滴/min,每输注50 mL液体取样测定胰岛素浓度.吸附组按溶媒不同分为氯化钠组、50 g/L葡萄糖组和100 g/L葡萄糖组,每隔10 min轻轻振摇1次,并取液测定浓度.结果表明,不同材质和装有不同溶媒的输液瓶对胰岛素的吸附趋势类似,但塑料瓶对胰岛素的吸附量大于玻璃瓶,装有氯化钠的输液瓶大于葡萄糖输液瓶,100 g/L葡萄糖输液瓶大于50 g/L葡萄糖输液瓶.因此,在胰岛素输液过程中,应考虑到输液瓶对胰岛素的吸附导致的药量损失.     

低温外延生长平整ZnO薄膜

在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面。本文使用分子束外延方法,采用a面蓝宝石为衬底,在450 ℃下生长了一系列ZnO薄膜样品。在富氧生长的条件下,固定氧流量不变,通过调节锌源温度来改变锌束流,以此调控生长速率。样品的生长速率为40~100 nm/h。通过扫描电镜（SEM）表征发现：在高锌束流的生长条件下,样品表面有很多不规则的颗粒;降低锌的供应量后,样品表面逐渐平整。原子力显微镜（AFM）测试结果表明：样品的均方根表面粗糙度（RMS）只有0.238 nm,接近于原子级平整度。这种平整表面的获得得益于较低的生长速率,以及ZnO外延薄膜与a面蓝宝石衬底之间小的晶格失配。     

同步荧光-双波长法同时测定血浆中儿茶酚胺类神经递质

建立一种同步荧光法与双波长法结合起来同时测定血浆中肾上腺素(E)、去甲肾上腺素(NE)和多巴胺(DA)3种儿茶酚胺类神经递质的方法.对E,NE和DA 3种神经递质的衍生物分别进行同步荧光扫描,考察影响体系荧光强度的因素.△λ=70 nm时获得的同步荧光光谱图中,DA在385.0 nm处的荧光信号不受干扰,而且E和NE的相互干扰可通过双波长法消除.最佳实验条件:0.5 mol/L乙酸一乙酸钠为缓冲液(pH=6.5),E,NE和DA的加热时间分别为1,3和35 min.E,NE和DA线性范围分别为0～320,0～640μg/L和0～160μg/L,相关系数分别为0.999 5,0.999 8和0.999 3;最低检测限分别为0.20,0.97μg/L和0.73μg/L;血浆样品经酸性正丁醇和正庚烷进行处理.该法用于血浆中儿茶酚胺类神经递质的测定,结果令人满意.     

基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器

在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。     

大学生综合素质的评价方法与应用

简述了因子分析法,雷达图法和聚类分析法的理论知识.利用因子分析法,雷达图法和聚类分析法,对学生的成绩进行全面分析,得到学生综合素质的合理评价.结果表明,较以往常用的两种方法(平均积点分和综合测评总分),方法更具有科学性与合理性.