首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   17篇
  免费   5篇
化学   1篇
晶体学   3篇
物理学   4篇
综合类   14篇
  2016年   2篇
  2015年   1篇
  2012年   2篇
  2010年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   4篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2000年   4篇
  1991年   1篇
  1965年   2篇
排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 7 毫秒
1.
当你在阳台上,在院子里,在空地上,望着在天空中向你友好地眨着眼的一颗颗星星的时候,你是否也产生过许许多多的疑问呢?下面,就让我们来一步步地在解答你们的疑问中揭开宇宙神秘面纱的一角吧。  相似文献   
2.
本文探讨了Al_2O_3掺杂对立方ZrO_2材料电性能和抗热震性的影响.试验中,用X射线衍射分析和扫描电镜观察发现:立方ZrO_2材料的电导率随Al_2O_3含量的增加而下降,但不改变其离子导电的机制;Al_2O_3明显地改善了材料的抗热震性.文中对于这些性能变化的微观机制作了初步分析.  相似文献   
3.
胡永刚  夏风  肖建中  雷超  李向东 《物理学报》2012,61(9):98102-098102
晶界对多元多晶电解质材料电导率的影响, 已成为制约高温固体电解质材料发展的瓶颈. 传统的晶界观察方法难以将高温下材料的组织结构与电导性能相对应. 鉴于此, 本文研究了部分稳定氧化锆(PSZ) 固体电解质材料的变温交流阻抗特性, 并对交流阻抗谱进行了拟合分析, 发现等效拟合电路随温度的上升而发生变化. 通过对不同等效电路模型的物理解析, 得出PSZ电解质材料显微结构在高温下的演变模型. 经进一步分析, 演绎出一种'短程有序'的'晶界桥接'组织模型, 为改善PSZ电解质材料的晶界电导提供了参考.  相似文献   
4.
采用湿法球磨方法将不同含量氧化钇粉末添加到氧化铝粉末中,经冷等静压成型,1550℃常压烧结.通过研究发现,当氧化钇含量低于0.25wt;时,晶粒长大,存在封闭晶内气孔,相对密度变小,致密化程度低;当氧化钇含量介于0.25wt;~0.75wt;时,随着氧化钇含量增加,封闭气孔减少,晶粒减小,致密化程度增高;当氧化钇含量为1.0wt;时,在晶界生成第二相钇铝石榴石,相对密度较小,致密化程度降低.  相似文献   
5.
采用化学沉淀法-水热法制备β-TCP/HA双相陶瓷粉末,通过调节水热温度和水热时间,将制备的粉体于900℃下煅烧,得到了不同配比的β-TCP/HA双相陶瓷粉末.研究表明,煅烧前的粉末主要为缺钙的HA相,随着水热温度的升高和水热时间的延长,煅烧后得到的粉末中HA的相含量不断增多.煅烧前为短棒状的缺钙型和稳定型的HA,煅烧后,β-TCP的晶粒呈球形,短棒状的HA随水热温度的升高和时间的延长而逐渐增多,且温度升高的影响比延长时间的影响更为显著.  相似文献   
6.
胡永刚  肖建中  夏风  武玺旺  闫双志 《物理学报》2010,59(10):7447-7451
ZrO2固体电解质室温下各相的相对含量、高温可相变量是决定材料抗热震性和导电性能的关键因素.固体电解质抗热震性与导电性能的匹配,对低氧含量下的钢水定氧起着重要作用.以此为前提,建立了电解质材料体系的抗热震性与室温相比例之间的线性模型,提出了其高温电导率与相变之间的演化模型.为制备用于测低氧活度的高精度冶金氧传感器提供参考依据.  相似文献   
7.
夏风 《少儿科技》2008,(Z1):86-86
部分成绩2005年,根特体操世界杯女子跳马季军;2005年,第十届全国运动会女子体操跳马冠军、女子全能亚军、女子自由操季军;2005年,东亚运动会体操女子自由操冠军;  相似文献   
8.
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织  相似文献   
9.
一代枪王AK47     
无论何时,士兵的形象中都少不了枪。而世界上产量最大、最受欢迎的枪就是这篇文章的主角——AK47突击步枪。横空出世AK47的历史可以追溯到60多年前。当时,一名叫卡拉什尼科夫的年轻苏军军官在一次战斗中负伤住院,却还想为国家做点贡献。于是,从小  相似文献   
10.
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热300℃,纯Ar气氛下制备的用Y2O3稳定的ZrO2薄膜材料(简称YSZ薄膜),发现了YSZ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况,退火温度对YSZ薄缺陷影响,简要讨论了致密、优质YSZ薄的制备方法。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号