用正电子湮没寿命技术研究纯铜的形变缺陷

本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.     

含Al_2O_3的ZrO_2中的晶界相研究

用复平面阻抗分析法测量了含Ａｌ２Ｏ３的ＺｒＯ２材料的晶界电阻，并用ＥＰＭＡ，ＴＥＭ及正电子湮没技术等手段从显微组织、缺陷结构等方面分析了Ａｌ２Ｏ３含量和烧结温度对晶界电阻的影响，提出了一个新的Ａｌ２Ｏ３作用机理。用一个简化了的模型分析了晶界相对ＺｒＯ２氧传感器输出电势的影响。     

智能化霍尔效应实验仪

本文介绍了单片计算机控制的组合多功能霍尔效应实验仪的原理、结构、功能特点。     

工科物理实验教学改革的实践与探索

介绍了近年来华中科技大学物理实验中心教学改革的历程及构建物理实验创新基地的思路和体会．     

如何在实验教学中培养学生的能力

介绍了在实验教学中对如何培养学生的动手能力、从实践中学习知识的能力、用理论知识预估或验证实验结果的能力、创新能力的看法和做法。提出创新能力应包含三个要素：要有找（或做）新问题的强烈愿望；要有很强的探索精神和态度；要有判断“新”与“旧”的能力。     

Rb2TeW3O12电子结构及光学性质的第一性原理研究

采用平面波超软赝势法对Rb2TeW3O12基态的几何结构、能带结构和光学特性等进行了系统的研究.几何结构研究不仅对基态平衡时的几何参量进行了优化计算，还对内部坐 标做了优化，其结果和实验测量值符合得很好.电子结构的研究表明，Rb2TeW3O12 属于宽禁带直接带隙半导体，禁带宽度为223eV，W 5d和O 2p轨道之间强烈杂化形成W— O共价键.计算了光学性质，给出了Rb2TeW3O12的介电函数实部ε1、虚部ε 2及相关光学参量，理论计算的静态介电常数为529 关键词： Rb2TeW3O12 电子结构 介电函数 密度泛函理论     

以“问题”为主线的多元化教学方法和模式的研究

简要介绍了在物理实验的"教"与"学"过程中,改变教学模式,以"问题"为主线,开展多元化的教学方法和模式. 实践表明,该教学模式促进了学生自主创新意识和综合实验研究能力的提升.     

Y2O3掺杂对WO3压敏非线性及介电性能的影响

在Y2O3掺杂量(摩尔分数)为0.2%～2%的范围内研究了Y2O3掺杂对WO3的非线性伏安特性及介电性能的影响.实验结果表明:随Y2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Y2O3掺杂量为0.8%附近达到最大值(3.61);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)也是先增大后减小,其最大值(1.16×104)出现在Y2O3摩尔分数为1.2%附近的样品中.测量了各样品的阻抗频率依赖关系,并由此估算了不同Y2O3含量样品的晶粒电阻,利用德拜弛豫关系式解释了Y2O3掺杂引起WO3介电常数与晶粒电阻变化的关系.Y2O3掺杂的WO3陶瓷是一种新型的压敏电容材料.