退火条件对LDPE空间电荷特性的影响研究

使用冷却速率不同的3种退火方法制备了不同微观形态的LDPE薄膜,对薄膜试品进行了显微观测,并运用傅立叶红外分析对3种试品的结晶度进行了比较,同时使用PEA空间电荷测量技术对不同电场下这3种试品的空间电荷分布进行了观测,并基于结晶度和微观形态对LDPE空间电荷特性做了讨论.研究结果表明施加电场撤压后,高速冷却试品比低速冷却试品和正常冷却试品积聚更多的空间电荷,而随着撤压时间的增加,低速冷却试品中积聚的空间电荷衰减得最快.     

基于多元GARCH模型的可转换债券市场与股票市场的波动关系研究

可转换债券作为一种混合型的金融衍生品,已经成为金融市场中重要的组成成分,并且其市场与股票市场之间又是互相影响的,它们的共同发展对金融市场的繁荣和企业竞争力的提高方面起到了积极的推动作用.因此,对可转债市场与股票市场之间关系的实证研究具有一定的理论与现实意义.基于上证指数(000001)与上证转债指数(000139),运用BEKK形式的多元GARCH模型来实证研究可转债市场与股票市场之间的波动关系及其溢出效应.实证结果发现,这两个市场之间有正相关的关系,并且存在双向的波动溢出效应.     

基于DEA模型的安徽省区域经济运行效率评估

针对安徽省16个地级市的区域经济发展情况作出一定评价,在合理的指标体系构建基础之上,建立基于投入的C2R和C2GS2两种DEA模型,并以此对2008-2012年各决策单元进行分析.通过综合效率,纯技术效率以及规模效率的纵向和横向比较,得出5年间不同地区的经济变动情况.同时,利用投影定理,对近两年来非有效决策单元进行详细的投入冗余和产出不足分析.最终得出安徽大多数地区经济效率水平偏低,但有转好趋势等结论,同时,综合实证分析结果找出制约经济发展因素,据此给出应加快产业结构调整等相应的政策性建议.     

重复频率纳秒脉冲介质阻挡放电对聚对苯二甲酸乙二酯表面改性

介绍了0.1 MPa下的纳秒脉冲介质阻挡放电(DBD)对聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料表面进行的亲水性改善。分别采用均匀和丝状放电模式对PET表面改性处理,并采用水接触角测量、原子力显微镜观察、X射线光电子能谱分析对改性材料进行表面分析。实验发现介质阻挡放电处理后PET表面水接触角明显减小,接触角从78°下降到25°,但随处理时间的增加有饱和效应;PET表面粗糙程度增加,亲水性含氧基团被引入,从而改善了材料表面亲水性;纳秒脉冲下的均匀DBD比丝状DBD处理效果更为显著。     

快脉冲放电对粉尘中二(口恶)英的转化作用

用焚烧炉进行城市垃圾焚烧处理后余下的粉尘中含有严重危及人类身体健康,甚至生命安全的二(口恶)英.该文利用表面脉冲放电研究了静电除尘器中粉尘的表面化学转化,结果发现放电后的粉尘颗粒表面产生物理性脆性变化.这表明脉冲放电引起粉尘及其颗粒的有效脆性化.含量分析结果也表明放电后试品中对人体有害的二(口恶)英含量明显降低.正脉冲放电比负脉冲放电对粉尘中的二(口恶)英有更明显的转化作用.可以认为,利用脉冲放电,特别是正脉冲放电,非热平衡等离子体能有效地解除和转换粉尘中有害化学物质.     

快脉冲放电对粉尘中二噁英的转化作用

用焚烧炉进行城市垃圾焚烧处理后余下的粉尘中含有严重危及人类身体健康 ,甚至生命安全的二英。该文利用表面脉冲放电研究了静电除尘器中粉尘的表面化学转化 ,结果发现放电后的粉尘颗粒表面产生物理性脆性变化。这表明脉冲放电引起粉尘及其颗粒的有效脆性化。含量分析结果也表明放电后试品中对人体有害的二英含量明显降低。正脉冲放电比负脉冲放电对粉尘中的二英有更明显的转化作用。可以认为 ,利用脉冲放电 ,特别是正脉冲放电 ,非热平衡等离子体能有效地解除和转换粉尘中有害化学物质。     

重复频率纳秒脉冲介质阻挡放电对聚对苯二甲酸乙二酯表面改性

介绍了0.1 MPa下的纳秒脉冲介质阻挡放电(DBD)对聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料表面进行的亲水性改善。分别采用均匀和丝状放电模式对PET表面改性处理,并采用水接触角测量、原子力显微镜观察、X射线光电子能谱分析对改性材料进行表面分析。实验发现介质阻挡放电处理后PET表面水接触角明显减小,接触角从78°下降到25°,但随处理时间的增加有饱和效应;PET表面粗糙程度增加,亲水性含氧基团被引入,从而改善了材料表面亲水性;纳秒脉冲下的均匀DBD比丝状DBD处理效果更为显著。     

采用Ga掺杂的具有低泄漏电流和高稳定性避雷器ZnO压敏电阻

为了获得性能更为稳定的ZnO压敏电阻,研究了含有Ga掺杂的ZnO压敏电阻的稳定特性,对所获得的实验样品的微观结构和电气特性进行了电子显微镜扫描测试、电压-电流非线性特性测试、电容-电压特性测试、X-射线衍射谱测试、能谱扫描测试、介质损耗测试及交流加速老化测试.实验结果表明,随着Ga掺杂量的进一步增加, Ga离子占据了ZnO晶格上的空位,增加了界面态密度,提高了肖特基势垒高度,一方面降低了ZnO压敏电阻的泄漏电流密度,另一方面抑制了耗尽层中自由电子的迁移,提高了ZnO压敏电阻在高荷电率环境下的稳定特性. Al离子固溶到ZnO晶格当中,产生大量的自由电子,降低了ZnO晶粒的电阻率,从而有效降低了ZnO压敏电阻在通过大电流时的残压比.当Ga的掺杂摩尔分数达到0.6%时,泄漏电流密度为0.84μA/cm²,残压比为1.97,非线性系数为66,其肖特基势垒高度为1.81 eV.在115℃环境下,对试验样品施加87%E1 mA,89%E1 mA和91%E1 mA的交流加速老化电压,老化时间为1000 h,老化系数分别为0.394, 0.437和0.550.此研究将有助于进一步...