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1.
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4.
<正>Cr ion implantations in glass with the different doses of D=1.493×10~(17) and 4.976×10~(17) ion/cm~2 are obtained by metal vapor vacuum arc(MEVVA).The effects of the different Cr ion implanted doses on terahertz(THz) transmission property are analyzed from THz time-domain spectroscopy.The results show that the more the Cr ion implanted dose in the micro-area implantation glasses,the larger the THz transmission except the larger absorption at 0.24 THz.This is an effect attributed to the coupling of plasmas on both the implantation and the implantation affected zones of the Cr ion implantation glass. 相似文献
5.
用振动样品磁强计并结合X射线衍射准确判定了Nd2.4Er0.6Fe27.31Ti1.69化合物的磁晶各向异性方式,研究结果发现,Nd2.4Er0.6Fe27.31Ti1.69化合物的磁晶各向异性从室温时的易面转变到低温时的易锥. 相似文献
6.
在纪念中国物理学会成立50周年的日子里,我们访问了著名物理学家、中国科学院学部委员、吉林省物理学会会长、吉林大学物理系第一系主任、本刊顾问余瑞璜教授。 76岁高龄的余教授是中国物理学会最早的会员之一。他高兴地对我们说:“从1952年中 相似文献
7.
地方建筑作为一种文化遗产,具有较高的精神和经济价值以及深远的历史意义.当前,由于人们忽视地方建筑的价值,造成地方建筑资源的衰败.对如何正确保护地方建筑这一个重要课题进行了系统的总结和论述. 相似文献
8.
随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子. 相似文献
9.
设s,t1,t2,…,tr为正整数,A=s(Zst1(+)Zst2(+)…(+) Zstr), ~A=A(+) Z,本文作者给出了当(s,t1)=(s,t2)=…=(s,tr)=d时~A-模Z的自由预解,并以此为基础计算了Tor~Am(Z,Z). 相似文献
10.
无单位元环A=sZst的同调不变量Tor(A~)m(Z,Z)的计算 总被引:2,自引:0,他引:2
周航 《纯粹数学与应用数学》2006,22(2):173-177
设A=sZst,(A~)=A( )Z,本文作者给出了(A~)-模Z的自由预解,并以此为基础计算了TorAm(Z,Z). 相似文献