机械球磨与反应烧结合成Sr2CeO4发光体的研究

Sr₂CeO₄ phosphor was synthesized by mechanical milling and reactive sintering in this work. The solid state reaction of SrCO₃and CeO₂ (2∶1) started at about 850 ℃ and completed at 1 000 ℃ for about 4 h. Two types of formation mechanism of Sr₂CeO₄ were proposed. When the starting powder mixture was fired above 1 000 ℃, the unstable intermediate phase SrCeO₃was developed, which then reacted with SrCO₃to form the final product Sr₂CeO₄, however, SrCO₃and CeO₂ converted directly to Sr₂CeO₄ at a lower temperature. The XRD results showed the crystal structure of Sr₂CeO₄ was orthorhombic. The emission spectra displayed a broad band with maximum at about 465 nm. The mechanical milling of starting power mixture and the sintering temperature had no effect on this emission spectra.     

可迹图的谱半径条件

本文研究的是简单图,它的邻接矩阵是表示顶点之间相邻关系的矩阵,它的最大特征值被定义为图的谱半径。如果图中有一条包含图中所有顶点的路,则称这条路为哈密尔顿路;如果一个图含有哈密顿路,则称该图是可迹图。设图具有最小度条件,本文主要利用图的补图的谱半径给出图是可迹图的充分条件。     

高速双通道A/D数据采集系统及其应用

针对大学物理实验中手动逐点测量数据的落后现状 ,设计了高速双通道数据采集系统 ,能实现在手动调节或自动扫描自变量的同时 ,由计算机自动记录自变量和函数的双通道电压数值 .其特点是利用 DMA(直接数据通道传送 )接口技术 ,充分发掘 A/ D转换芯片的固有高速性能 .本方法对大学物理实验手段的提高具有实用价值     

伴随Ce_2Co_(15-x)Al_(2+x)固溶体系的新衍射面

研究了Ce2Co15-xAl2+x固溶体系.随着Al含量的增加,除晶格常数改变外,发现伴有一个强度可观的新的衍射面.预言存在一个新物相,并给出了它在相图中的大致位置.     

X射线衍射仪数据采集系统的软件实现

文章介绍利用汇编语言、 C语言、 Borland C++Builder等开发了基于 Windows环境的智能化实时处理软件 ,成功地实现了对原 X射线衍射仪的数据的采集、处理、实时显示和存盘。     

对“方程组的同解原理”的修正

本l’lj 1993年第2期“方程组的同解原理”一文中所述原理4o是这样的:,京”,’·“”方程”‘{Fi(x,,)·凡(二,,)=oG(二,万)一0的解集等于两个方程组{Fl(x,,)G(x,,)二0二0{凡(二,,)=0G(x,,)=0的解集的并集.笔行认为这个原理本身是不正确的.例如方程组x一1￡十1x+l劣一1的解集是空集.但如按原xZ一,2=0了.,、..、 与理4。卜述方程组的解集等于x一1x+l劣+1x一l了2一yZ=o=0 的解集的并集,.即1(l,一l),(l,l)全UxZ一,2=o{卜1,一l),(一l,l)},出现矛盾·导致原理4o不正确的原因是忽视了解析式的定义域,修改后的原理4o应为: i货F,(二,军),矛户”(…     

Sr_2CeO_4物相形成过程的XRD分析

采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比 2∶1 )混合粉料经不同灼烧时间反应后的物相组成 .结果表明在Sr2 CeO4的形成过程中将出现不稳定的中间相SrCeO3,原始粉料CeO2 相会提前消失 ,SrCeO3与SrCO3反应生成最终稳定的目标相Sr2 CeO4.X射线衍射数据显示Sr2 CeO4属正交晶系     

多孔硅薄膜上铜微晶的形成

以氯化铜水溶液作电解液,在发光多孔硅薄膜表面上电沉积铜.SEM观测和计算机图像处理结果表明:电沉积之后,在多孔硅薄膜上形成了一些或实心或中空的等边三角形铜微晶,沉积后的多孔硅薄膜的分形维数从2.608降为2.252,其表面由粗糙变为光滑.与物理方法制作相比,这是一种机械强度和导电性能都更加良好的多孔硅薄膜.     

在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究

在镀铝 (0 .5～ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1～ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :在铝薄膜的诱导下 α- Si薄膜在温度 550℃附近退火 5min即可达到晶化 ,X-射线衍射分析显示样品退火 30 min形成的硅层基本全部晶化 ,且具有良好的晶化质量 .     

利用Newton多项式求解结构动力响应的新方法

提出了一种求解线性、确定性系统动力响应的新方法, 和现在常用的逐步积分法相比,本文方法不但具有较高的计算精度,避免了收敛性和稳定性的问题,而且大大减少了计算工作量.