传热器件的边界元分析

采用边界元方法，对复杂的传热器件的导热规律进行了数值模拟，在控制方程的基础上，利用基本解，通过加权余量法建立内点和边界的积分方程，对边界进行剖分得到其离散化格式，通过器件边界面上的温度或热流可以计算出场内各点的温度分布，并绘制等温线．算例表明此方法有效，精度较高．     

二次凝聚工艺处理微污染原水的试验研究

二次凝聚工艺较常规凝聚在去除微污染原水TOC方面存在明显优势.试验结果表明:当原水ρTOC<12mg·L-1时,二次凝聚工艺的TOC去除率优于常规凝聚TOC去除率20%以上.     

量子阱中强耦合束缚极化子的温度效应

采用线性组合算符与变分相结合的方法讨论了无限深量子阱中强耦合束缚极化子的温度效应.给出了无限深量子阱中束缚极化子的基态能量和振动频率随温度和阱宽的变化关系.对RbCl晶体进行了数值计算,结果表明：当温度升高时,量子阱中强耦合束缚极化子的振动频率增大,基态能量的绝对值增大;并且基态能量的绝对值随阱宽增大而增大.     

AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响

从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN势垒层掺杂对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气的浓度、分布、面密度以及子带分布等性质的影响.结果表明：二维电子气性质强烈依赖于极化效应,不考虑AlGaN势垒层掺杂，当Al组分为0.3时，由极化导致的二维电子气浓度达1.6×10--13cm-2,其中压电极化对二维电子气贡献为0.7×10-13cm-2，略小于自发极化的贡献(0.9×10-13cm-2)，但为同一数量级，因而通过控制AlGaN层应变而改变极化对于提高二维电子气浓度至关重要. AlGaN势垒层掺杂对二维电子气的影响较弱, 当掺杂浓度从1×10-17增加到1×10-18cm-3时，二维电子气面密度增加0.2×10-13cm-2. 关键词： AlxGa1-xN/GaN 异质结构 二维电子气 自发极化 压电极化     

温度场的二次元分析方法

采用二次元分析方法，对具有多热源的传热器件的温度场进行了数值模拟．推导了边界积分剖分的二次元公式．给出了内点的显示计算格式．计算了具有多热源的温度场．结果表明方法精度高、适应性强。     

国外甲醇发动机磨损研究的概况

本文对国外10多年来甲醇发动机磨损研究的概况作了综述介绍,指出甲醇发动机发生的是腐蚀磨损,其活塞环和气缸壁上部区域的磨损最严重;甲醇燃料燃烧产物中的甲酸、水及其所含的剩余甲醇是引起甲醇发动机腐蚀磨损的重要物质,过氧化氢促进着这种腐蚀磨损过程。文章还就如何有效地解决甲醇发动机的腐蚀磨损问题进行了初步探讨,提出了应当着重开展的研究工作方向。     

云南阿昌族ABO血型系统基因频率调查

目的：为了解云南阿昌族AB0血型系统基因频率分布状况，为促进云南血型参比工作的发展及填补资料。方法：对德宏州，梁河县，九保乡，芒科寨的阿昌族自然村应用随机抽样调查。血型检测采用玻片法，结果：阿昌族AB0血型系统表现型为A〉B〉O〉AB；基因频率r〉p〉q。结论：通过与其它民族的比较。阿昌旋ABO血型表现型分布与云南汉族，白族，瓦族，怒族相同。     

2种石斛属植物和小叶石仙桃多糖的组织化学定位

为对不同年龄的铁皮石斛(Dendrobium candidum)、铜皮石斛(D.moniliforme)及石斛伪品-小叶石仙桃(Pholidota chinensis)不同器官中的多糖进行组织化学定位,选择具有较高药用价值的石斛类药用植物和药用部位,确定铁皮石斛的最佳采收期,根据多糖的理化性质,材料经冰冻切片,用改良的高碘酸-席夫试剂(PAS)对多糖进行组织化学定位;结果表明,多糖类物质主要存在茎的薄壁细胞、根的皮层细胞、叶的叶肉细胞中。其总多糖含量有如下顺序:二年生的铁皮石斛茎>铜皮石斛茎≈>小叶石仙桃茎,铁皮石斛根≈铜皮石斛根>小叶石仙桃根,铁皮石斛叶≈小叶石仙桃叶>铜皮石斛叶。另外,在不同的器官中,铜皮石斛的多糖含量呈现“茎≈根>叶”和小叶石仙桃的多糖含量呈现“叶>茎≈>根”的规律,而二年生的铁皮石斛则为“茎>叶>根”。这表明在种间及同种植物的不同器官、不同年龄,其多糖的含量存在差异。而3种兰科植物中,以二年生铁皮石斛茎的多糖含量最高,表明其药用价值也最高。     

GaN基场效应器件Monte Carlo模拟

基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Monte Carlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布,最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.