不同LET辐射致DNA集簇性损伤的研究

利用辐照质粒DNA构象变化的分子模型,以DNA糖苷酶Fpg和AP核酸内切酶EndoIII识别并切割辐射所致DNA碱基损伤,将其转换为DNA断裂损伤,通过电泳分析DNA分子构象变化,研究比较γ射线、质子和7Li离子诱发DNA集簇性损伤。50Gy以上高剂量γ辐射对质粒DNA的损伤主要表现为单链断裂(SSB)和很少比例的双链断裂(DSB),并能产生一定水平的集簇性损伤。相比之下,高能质子束和高LET的7Li离子直接所致DNA的断裂损伤以及所产生的集簇性碱基损伤比γ射线的要严重,质子10Gy照射就可诱发明显的集簇损伤。     

香兰素衍生物VND3207对α粒子辐射诱发人成纤维细胞基因组DNA损伤的防护研究

 高能α粒子辐射所致基因组DNA损伤形式为复杂的簇集损伤,修复难度大,生物效应严重,目前尚缺乏有效防护药物。前期发现香兰素衍生物VND3207具有抗氧化损伤、促进DNA双链断裂损伤修复的作用,能有效防护低传能线密度（LET） γ射线诱发细胞凋亡和基因组损伤。本研究旨在探讨VND3207对高能α粒子辐射诱发人成纤维细胞基因组DNA损伤的防护效应。细胞克隆形成实验表明,VND3207无论是照射前加药还是照射后加药作用均能增强人成纤维HFS细胞对α粒子的辐射损伤抗性。通过中性单细胞凝胶电泳（彗星电泳）、γ-H2AX免疫荧光簇集点、γ-H2AX蛋白表达水平、细胞微核等多个基因组DNA损伤指标分析,表明了VND3207对α粒子辐射诱发细胞基因组DNA损伤的有效防护作用,其在5 ~ 10μmol/L浓度下,就可产生显著辐射防护效果,既能减轻α粒子辐射诱发细胞DNA的原初损伤水平,又能提高细胞的DNA修复能力。因此,VND3207具有维护高能粒子辐照细胞的基因组稳定性的作用,有开发成为抗高LET辐射损伤新药的价值。     

6-溴异香兰素诱发人宫颈癌上皮细胞纺锤体损伤及有丝分裂灾变死亡

 研究香兰素衍生物中的6-溴异香兰素（6-溴-5-羟基-4-甲氧基苯甲醛,BVAN08）对人宫颈癌上皮（HeLa）细胞纺锤体结构、有丝分裂的影响,及杀死癌细胞的相关机制,为开发新的抗癌药物提供理论依据。研究发现BVAN08对体外培养的人HeLa细胞具有剂量依赖性致死效应。通过抗?琢-微管蛋白抗体和抗?茁-微管蛋白抗体免疫荧光标记和激光共聚焦显微镜观察发现其机制是：BVAN08对细胞纺锤体结构造成破坏,诱发产生大量的多中心体细胞,使细胞阻滞在有丝分裂期。异常多极纺锤体细胞的百分率与BVAN08呈浓度依赖效应关系。荧光染料Hoechst33258染色观察到多微核或细胞核割裂和染色质凝集现象,也证实BVAN08诱发Hela细胞有丝分裂灾变死亡。同时免疫印迹实验还发现,BVAN08可导致细胞周期转录调节因子FoxM1（Forkhead box）及其下游靶分子CyclinB1的降解,参与有丝分裂的FoxM1蛋白失活,这表明BVAN08通过抑制FoxM1蛋白的表达是导致细胞纺锤体装配异常、细胞发生有丝分裂灾变死亡的分子机制之一。研究结果提示BVAN08诱发Hela细胞新的死亡方式,具有被开发为新型抗癌药物的潜力。