无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究

利用无压渗透法制备出SiCp／Al复合材料，研究了SiCp／Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能，研究表明：SiCp／Al系统的界面处存在着界面反应，生成Si、A12O3和A13C4等产物，在界面处存在着Si和Mg元素的富集；复合材料的机械性能受界面反应和Si元素富集的影响，其中界面反应是最重要的影响因素。当界面反应控制在一定程度时，在基体与增强相的界面处形成比较充分的“机械绞合”，才会使复合材料的机械性能有较大提高，界面上Si元素的富集对机械性能的影响较为复杂，一方面它可以控制界面反应的过度发生，另一方面又会产生晶格畴变，这两方面效应的叠加，使之对复合材料机械性能的影响减弱，远小于界面反应对机械性能的影响。     

基于配对双线性的门限代理签名方案

给出一种基于配对双线性映射的门限代理签名方案.该方案具有一些代理签名方案的新特点:匿名性和可跟踪性.验证者在验证代理签名之后只能确信代理签名是代表原始签名者的签名而无法确定代理签名者身份;当出现争议时,验证者可通过代理群管理员追查出代理签名者的身份.     

低温808nm高效率半导体激光器

为了提高低温工作环境下808 nm半导体激光器的输出特性,深入研究了电光转换效率的温度特性。结合载流子泄漏抑制和器件串联电阻的优化考虑,从理论上深入分析了有源区量子阱内的载流子限制现象,提出针对低温工作环境下的势垒高度及相应的量子阱结构设计方法,包括势垒层的材料组分、厚度等重要参数的优化,极大地改善了器件在低温工作环境下的性能。采用优化后的外延结构,制备了腔长2 mm的半导体激光巴条。在工作温度-50℃、注入电流为600 A时,巴条输出功率达到799 W,电光转换效率为71%,斜率效率为1.34 W/A;注入电流为400 A时,器件达到最高电光转换效率73.5%,此时的载流子限制效率约为99%,串联电阻为0.43 mΩ;在-60～60℃温度范围内,中心波长随温度的漂移系数为0.248 nm/℃。     

一种基于运动学原理的单星对星无源测距定位方法

在对卫星的无源定位跟踪研究中,目标距离的获得是关键问题。测角类的定位方法不能即时测距,且存在收敛慢、精度低的不足。根据运动学原理和卫星运动动力学方程,推导无源测距方程并给出解法,从而提出一种无源测距方法。在此基础上,结合测距分解观测模型,给出基于运动学原理的单星对星无源测距定位方法。仿真实例验证了测距方法及基于测距的定位跟踪方法的正确性和有效性。与已有的基于几何定位原理的测角类定位方法相比,该方法具有更高的定位精度和更快的收敛速度,可实现快速定位。     

微波陶瓷测试技术的神经网络实现

针对微波陶瓷的开式腔谐振法算法复杂、计算量大、计算速度慢的问题，提出了一种基于神经网络的替代算法．对完全神经网络模型和部分神经网络模型进行了对比，并讨论了网络拓扑结构对在线训练效果、训练时间和离线计算精度的影响．研究表明，采用1-6-6—2结构即单输入双输出的三层部分神经网络模型，计算速度可比传统算法提高1280倍以上，介电常数的计算误差不超过0.03％，品质因数的计算误差不超过0．8％，与传统算法相比，用神经网络实现的算法具有运算量小、速度快等优点，并保持了足够高的计算精度．     

地下水碳酸平衡检查系统

文章主要研究地下水在不同温度和CO2分压条件下碳酸三种存在形式与pH值的关系，以便更有效地对地下水水质资料进行可靠性检查。分析认为HCO-3出现峰值的分界pHo值，纯水在CO2分压1～105Pa，温度0～30℃时的变化范围为7.92～8.60，碳酸盐岩地下水的变化范围为8.28～8.57。pHo值随温度的升高而降低。石灰岩和白云岩的pHo十分接近，碳酸盐岩地区的平衡特性将取决于方解石成分。     

BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5系统微波陶瓷的相转变机制与介电性能

对采用传统电子陶瓷工艺制备的BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5(BTZN)微波介质陶瓷系统的相转变机制与介电性能进行了研究．XRD分析表明,系统的主晶相为Ba2Ti9O20、BaTi4O9．由Zn2 和Nb5 共同取代Ti4 ,作为施主受主杂质达到电价平衡,形成了BaTi4-xZnx/3Nb2x/3O9和Ba2Ti9-xZnx/3Nb2x/3O20固溶体,显著降低系统的烧结温度,获得优良的介电性能．同时,Nb5 能够抑制在空气气氛中烧结产生的Ti4 还原,防止Ti3 造成的介电性能恶化．BaO-TiO2- ZnO-Nb2O5系统在980℃已经开始大量生成Ba3Ti12Zn7O34相;自1050℃开始形成、并在1110℃大量生成Ba- Ti5O11相;BaTi5O11相的生成对于最终烧结过程中主晶相Ba2Ti9O20的形成起到很关键的作用．1110℃预烧、 1160℃烧结的该系统陶瓷材料的微波介电性能为:εr=37;Q=24 000(10 GHz);τf= 4．5×10-6／℃     

PSBN铁电陶瓷介电性能的研究

研究了球磨工艺以及掺杂Ｆｅ２Ｏ３对ＰＳＢＮ陶瓷介电性能的影响，在球磨过程中，由于球的磨损，使用不同的磨球等效于对ＰＳＢＮ陶瓷掺入不同的微量添加剂，通用铁球球磨不同时间和掺入不同Ｆｅ２Ｏ３的对比实验，表明球磨时间越长掺入添加剂的量越多，当选用合适的磨球及球磨时间的时候，得到高介（ε≥４０００）Ｘ７Ｒ瓷料。     

烧结温度对PSBN铁电陶瓷介电性能的影响

用普通的电子陶瓷工艺制备了ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＢａＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＰＳＢＮ）系统民陶瓷，研究了ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系，ＸＲＤ分析表明：ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的主晶相是Ｐｂ０．７Ｂａ０．３Ｎｂ２Ｏ６（ＰＢＮ）、Ｓｒ０．５Ｂａ０．５Ｎｂ２Ｏ６（ＳＢＮ）和Ｂａ０．２７Ｓｒ０．７５Ｎｂ２Ｏ５．７８（ＢＳＮ），将这一复杂的化学系统看作三元系固熔体，其中ＰＢＮ、ＳＢＮ和ＢＳＮ各相比例随烧结温