薄叶红厚壳根的化学成分研究(Ⅰ)

 利用现代色谱分离技术对薄叶红厚壳Calophyllum membranaceum根的乙醇提取物氯仿部位进行分离纯化,得到8个化合物,分别鉴定为：木栓酮（Friedelin,Ⅰ）、海棠果醇（Canophyllol,Ⅱ）、木栓醇（Epi friedelinol, Ⅲ）、3,4 二羟基苯甲酸（3,4 dihydroxybenzoic acid,Ⅳ）、穗花杉双黄酮（Amentoflavone,Ⅴ）、7 羟基香豆素（7 dihydroxycoumarin,Ⅵ）、紫花前胡苷（Marmesinin,Ⅶ）、紫花前胡苷元（Nodakenetin,Ⅷ）。其中化合物Ⅵ、Ⅶ、Ⅷ为首次从该植物中分离得到。     

知识经济对财务会计的影响与对策

本文从知识经济所展现的特征入手，首先从总体上就知识经济的概念与特征进行了简单的论述，然后对受知识经济环境具体影响的无形资产会计问题、人力资源会计问题、财务报告问题分别进行探讨，提出财务会计变革的一些具体设想。     

定子槽口宽度对同步电机永磁体涡流损耗影响

采用二维时步有限元法,系统地分析变频供电条件下高功率表贴式永磁同步电机定子槽口宽度对电机漏抗、功率因素、绕组电流、气隙磁密等参数的影响,从而确定永磁同步电机（PWM）波供电下槽口宽度对永磁体涡流损耗的影响. 分析表明,定子槽口宽度由6.0 mm变为2.5 mm,电机漏抗增加,由高直流母线电压变频供电引起的电枢纹波电流得到较好抑制,高次谐波电流得到很好过滤,气隙磁密高次谐波幅值减小,永磁体涡流损耗减小可减小近40%. 同时,对两台不同槽口宽度样机进行永磁体温升试验,验证了分析方法和计算结果的正确性.      

基于对偶单元法的三维集成微系统电热耦合分析

随着三维集成微系统集成度和功率密度的提高,同时考察电设计与热管理的多场耦合分析势在必行.本文面向三维集成微处理器系统,通过改进的对偶单元法(dual cell method,DCM)实现了系统的快速电热分析.该方法通过引入泄漏功率、材料系数随温度的耦合,相比于传统有限元法在更新以及组装本构矩阵上有更大的优势.仿真验证表明,本文所采用的算法相比传统有限元法仿真速度提升了约30%.在考虑了材料系数以及泄露功率热耦合因素后,系统热点温度相对于考虑耦合前上升了20.8 K.最后采用本文所提出算法对三维集成微处理器系统进行布局研究,比较了硅通孔阵列常规布局和集中布局在处理器核心下方两种布局方式对上下层芯片热点温度的影响,研究了功率不均匀分配对两种布局的影响.     

基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究

在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge, ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化, 并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据 版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型, 所建模型准确地预估了不同衬底 结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压V_t1的影响. 栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明, 所提出的衬底电阻模 型与实验结果符合良好, 且仿真时间仅为器件仿真软件的7%, 为ESD保护器件版 图优化设计提供了方法支持. 关键词： 栅接地n型金属氧化物半导体器件 静电放电 衬底电阻模型     

基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.     

基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。     

新安江水电站坝体补强灌浆设计与施工

采用灌浆法处理病险坝体工期短、投资少、效果明显。首先介绍了新安江水电站坝体补强灌浆问题的提出及设计依据;其次,阐明了坝体补强灌浆的施工工艺,并对灌浆资料进行统计分析;最后,通过检查孔的相关参数对灌浆效果进行综合评价。