多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析

利用Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱（ＭＱＷ）系统的束缚电子级公式，并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应ＭＱＷ系统量子能级的差异。     

长直量子线中δ势散射的共振态

利用格林函数方法讨论了量子系统中共振能量与束缚能级的关系 ,指出它们应满足的不同条件 .采用简化方法讨论了长直量子线中δ势散射的共振态 ,发现与一维情况相同 ,准一维量子线中的δ势散射不存在共振透射 .     

纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应

研究了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化（EESP）的压力效应,计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性。以及内建电场（IEF）的作用．结果表明：电子势垒高度随压力下降;电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效质量随压力上升;EESP强度随压力缓慢上升;电子极化的偶极矩随Al浓度非线性下降．一般情况下,EESP对IEF的影响可忽略,但当掺杂浓度n足够大（n〉10^19／cm^3）时,EESP可屏蔽IEF．     

多重双势垒结构中电子共振隧道效应的理论研究

研究了一维多重双势垒结构中电子共振隧穿效应，给出了透射系数和共振隧穿条件的解析表达式，数值计算并解释了随双势垒内外讲宽度差△ｄ变化的共振隧穿透射能谱，与对应的多重单势垒结构相比，这种多重双势垒结构显示出一些有趣的性质．     

隔离层厚度对量子垒堆结构的电子滤波作用的影响

研究了隔离层厚区对量子垒堆结构的电子滤波作用的影响．对于单隔离层，在较为一般的情况下解析推得隔离层厚度满足的广义Ｂｒａｇｇ公式，以多重双势垒结构为例对多隔离层的情况也进行了研究。结果表明同时存在两类共振隧穿（ＲＴ），第一类ＲＴ是法布里－珀罗型ＲＴ，要求隔离层厚度满足Ｂｒａｇｇ公式或广义Ｂｒｅｇｇ公式；第二类ＲＴ是依次型ＲＴ，对隔离层厚度没有要求．特别指出ｘ＝０的ＲＴ能对于中心对称结构是实现依次型ＲＴ的重要途径．     

一阶导数光谱法测定阿维菌素B1的含量

用UV－2401 PC紫外分光光度计及光谱工作站（日本岛津）,以1nm狭缝宽度,2nm△λ间隔,在190－400nm波长范围内快速扫描采集阿维菌素B1紫外吸收光谱,拟合一阶导数光谱发现峰顶A252.2,和峰谷A256.8在波长坐标上的位置不受不同制剂干扰。因此认为△A=A252.2-A256.8作阿维菌素B1含量测量的定量分析依据,可以减少误差。通过对系列浓度标准品溶液一阶导数光谱分析,获得标准回归方程c=272.7△A-0.161,相关系数r=0.9996。进一步测定了不同剂制剂中阿维菌素B1的含量和其加样回收率,并获得理想结果。     

用变分拟合方法计算电场下锯齿型多量子阱的激子结合能

采用一种变分拟合的简单方法计算了电场下锯齿型多量子阱的激子结合能,对计算结果给出了合理的解释     

用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

具有幂率度分布的随机图上的幸存者统计和平均位损伤

研究具有幂率度分布的随机图上的损伤扩散.利用幸存者统计对损伤扩散过程中的各类个体变化进行了分析和分类,指出幸存者的数量和Hamming距离一样可以作为损伤扩散相变的指示器.讨论了利用平均位损伤作为损伤扩散新测度的可能性,结果表明,幸存者、平均位损伤等概念的引入加深了对具有幂率度分布的随机图上的损伤扩散的理解.     

T型量子线的电子结构计算

在周期性边界条件下，利用平面波展开计算了Ｔ型量子线的电子结构，通过构造能级的拟合公式，由小数目平面波展开得到的能量值求得原来只能借助大数目平面波展开才能得到的能量值，避免了大型矩阵的角化，并给出了计算实例。