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目的 通过对国外资料及作者历年研究成果的分析,弄清国内外室内氡浓度限值标准的现状和发展趋势,并为我国修改或制定室内氡浓度限值标准提供参考和背景资料. 方法 对国外资料及作者历年研究成果进行归纳和分析结果和结论吸入氡及其子体所致的辐射剂量绝大部分来自于室内,世界各国已制定相应的室内的氡浓度限值标准,限值范围20-1000 Bqm-3;我国的<住房内氡浓度控制标准>尚有很大的从严修改的必要和余地;世界各国的职业环境室内氡浓度限值标准范围20-3000 Bqm-3,其中大多数应作修改和调整;我国尚无制定职业环境室内氡浓度限值标准,应依据法律法规和最新的氡研究成果尽快制定. 相似文献
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采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm~2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade. 相似文献
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