活用教学方法 提高会计教学效果

会计课程实践性较强,在课堂教学中恰当运用教学法,有利于激发学生学习兴趣,调动学生技能操作的积极性,学会会计基本技能,弥补学生因缺乏社会实践经验,难以有效实现预期教学目的的状况,从而提高课堂教学效果。本文结合教学实践,对会计专业教学方法的有关理论和实践进行探索。     

关于限制差基标号线性分布模型的优化

优化限制差基标号线性模型,设RDB直尺长为len,有n条刻度,实现完全度量的刻度分布用M(len,n)来表示,并得到以下4个优化线性模型: {1,1,1,6,1,7,7,13,13,…,13,6,6,4,1,1}∈M(13n-101,n);{1,1,1,2,1,6,11,1,14,14,…,14,3,8,2,3,4}∈M(14n-124,n) {1,1,1,1,1,3,1,4,8,15,15,…,15,7,3,4,10,2}∈M(15n-148,n);{1,1,1,1,1,1,1,3,1,16,16,…,16,12,2,4,11,2,4}∈M(16n-178,n)     

量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）和荧光显微镜（FL）对晶体质量进行了表征,使用电致发光系统积分球测试对光电性能进行了表征。结果表明：随着气压升高,In的并入量略有降低且均匀性更好,量子阱中的点缺陷数目降低,但是阱垒间界面质量有所下降。在实验选取的4个气压4,6.65,10,13.3 kPa下,外量子效率最大值随着量子阱生长气压的上升而显著升高,分别为16.60%、23.07%、26.40%、27.66%,但是13.3 kPa下生长的样品在大电流下EQE随电流droop效应有所加剧,在20 A·cm^-2的工作电流下,样品A、B、C、D的EQE分别为16.60%、19.77%、20.03%、19.45%,10 kPa下生长的量子阱的整体光电性能最好。     

厦门市电子商务发展之政策建议

2005年,国务院办公厅颁布了第一个专门指导电子商务发展的政策性文件,即《关于加快电子商务发展的若干意见》（国办发[2005]2号）：2007年国家发展与改革委员会、国务院信息化工作办公室联合制定了《中国电子商务发展“十一五”规划》,这是中国首部电子商务发展规划。为此,福建省也专门制定了《福建省电子商务发展“十一五”规划》。所有这些,都充分表明了发展电子商务的重要性和迫切性。因此,厦门市需要从战略高度,重视电子商务。     

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。     

中国海洋鱼类单殖吸虫研究（ⅩⅦ）:格氏虫属Grubea一新种

摘要 描述了寄生于鲐鱼Pneumatophorus japonicus (Houttuyn)鳃部的钩铗虫科格氏虫亚科Grubeinae格氏虫属Grubea一新种:中国格氏虫Grubea sinensis sp. nov. 新种以大吸铗的后辅片（SPS）向前弯曲并夹住后弓片(SAP)而明显不同于本属的2个已知种Grubea cochlear及Grubea australis,另新种的小生殖钩数量较已知种少,后吸器的形状也与已知种存在差异．     

Effect of Mg-Preflow for p-AlGaN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence of Green LEDs with V-Shaped Pits

In GaN-based green light-emitting diodes(LEDs) with and without Mg-preflow before the growth of p-Al GaN electron blocking layer(EBL) are investigated experimentally.A higher Mg doping concentration is achieved in the EBL after Mg-preflow treatment,effectively alleviating the commonly observed efficiency collapse and electrons overflowing at cryogenic temperatures.However,unexpected decline in quantum efficiency is observed after Mg-preflow treatment at room temperature.Our conclusions are drawn such that the efficiency decline is probably the result of different emission positions.Higher Mg doping concentration in the EBL after Mg-preflow treatment will make it easier for a hole to be injected into multiple quantum wells with emission closer to pGaN side through the(8-plane rather than the V-shape pits,which is not favorable to luminous efficiency due to the preferred occurrence of accumulated strain relaxation and structural defects in upper QWs closer to p-GaN.Within this framework,apparently disparate experimental observations regarding electroluminescence properties,in this work,are well reconciled.     

从大口黑鲈胃、肠道中分离的部分好氧菌的研究

从大口黑鲈（Microptens salmoides)胃、肠道中分离到24个好氧菌株。经过自动微生物鉴定系统（VITEK－AMS－60和VITEK－AMS－CC2）鉴定结果是：真菌只有1个菌株（茁芽毛孢酵母Tri-chosporon pullulans)；细菌有23个菌株，其中革兰氏阳性菌只有1个菌株（干燥棒状杆菌Corynebacterium xerosis)，1个非发酵性菌株（食酸假单胞菌Pseudomonas acidovorans)，其余21个菌株均是革兰氏阴性菌；革兰氏阴性菌中，支气管败血性鲍特氏菌（Bordetella bronchiseptica)5个，尿放线杆菌（Actinobacillus ureae)4个，粘黄杆菌（Flavobacterium gleum)4个，产吲哚黄杆菌（F.indologenes)3个，恶臭假单胞菌（P.putida)3个，泡囊假单胞菌（P.vesicularis)2个。24个菌株中5个水解淀粉，5个水解牛奶；在22种药物敏感试验中，恶臭假单胞菌肠14菌株和支气管败血性鲍特氏菌肠17菌株分别对17种药物有耐药性；24个菌株中，对氨苄青霉素、先锋V（头孢唑啉）、青霉素G不敏感的菌分别有23株、23株、22株。     

Electroluminescence from the InGaN/GaN Superlattices Interlayer of Yellow LEDs with Large V-Pits Grown on Si(111)

A blue emission originated from In GaN/GaN superlattice(SL) interlayer is observed in the yellow LEDs with V-pits embedded in the quantum wells(QWs), revealing that sufficient holes have penetrated through the QWs into SLs far away from the p-type layer. In the V-pits embedded LEDs, hole transport has two paths: via the flat c-plane region or via the sidewalls of V-pits. It is proved that the holes in SLs are injected from the sidewalls of V-pits, and the transportation process is significantly affected by working temperature, current density, and the size of V-pits. Four motion possibilities are discussed when the holes flow via the sidewalls. All these may contribute to a better understanding of hole transport and device design.     

确定一类数列中指定项值的快速算法

针对一类方幂之和构成的递增数列问题,分析了数列的数学特性,研究了求取数列中指定项值的两种快速算法,提出的算法能够以较低的计算成本求得问题的解.