中子辐照对Pd80Si20与Pd77.5Cu6Si16.5非晶态合金结构的影响

本工作用X射线衍射技术示差扫描量热法(DSC)和内耗测量等手段研究金属-类金属非晶态合金Pd₈₀Si₂₀和Pd_77.5Cu₆Si_16.5中子辐照前后的微观结构变化。结果表明,辐照在两种样品的对关联函数g(r)以及径向分布函数RDF(r)上都引起明显的变化;辐照后样品的晶化温度和晶化热有所提高,结构变得更加无序,Pd₈₀Si₂₀非晶态合金的内耗在T关键词：     

初探世界优秀体操运动员的体重范围

根据参加22届奥运会体操比赛和22届世界体操锦标赛的262名男运动员与256名女运动员的年龄、身高、体重等资料,用数理统计方法推算他们的体重范围。其结果是:上述两次比赛名次获得者及23届奥运会体操比赛的全能与单项前三名获得者中,男76.36％、女81.58％;其体重范围落在一元线性回归值(?)、减一个剩余标差Sy(即(?)-Sy～(?)+Sy)之间。我国参加世体操比赛的得名者,大部分人的体重也落在上述范围中。因此,我们认为用(?)-Sy～(?)+Sy推算出的体重范围值,可作为控制我国体操运动员的体重之参考。     

BaTiO_3薄膜的制备及特性研究

本文以Ba(CH_3COO)_2和Ti(OC_4H_9)_4为原料,以CH_3COOH为催化剂,用溶胶-凝胶方法制备BaTiO0_3薄膜;用红外光谱研究原料水解与聚合形成BaTiO_3的机理;用Χ射线光谱研究薄膜结构,并研究工艺条件与电性能的关系。得到剩余极化强度为6.04μC/cm~2的铁电膜。     

非晶态二元合金模型偏干涉函数的计算及应用

本文从计算非晶态材料散射强度的Debye方程,推导出非晶态二元合金模型的Faber-Ziman偏干涉函数计算公式。利用这些公式,计算了Fe₈₃B₁₇和Ni₆₄B₃₆金属玻璃模型的S_FeB(Q)和S_NiB(Q),并和实验结果及模型计算的偏散射强度I_FeB(Q)和I_NiB(Q)作了比较。文中还计算了Hg₂Na液态合金模型的偏干涉函数,并把它们外推到零衍射角时的数值。最后讨论了具有化学短程序合金的全干涉函数在零衍射角附近的行为。 关键词：     

溶胶-凝胶技术制备(Pb,La)TiO_3薄膜的实验研究

本文研究了溶胶-凝胶技术中溶液浓度、PH值、匀胶转速和热处理条件对PLT薄膜性能的影响规律.用该技术在SrTiO_3和MgO单晶基片上制备了具有钙钛矿型结构的择优取向PLT薄膜.在硅单晶和石英玻璃基片上制备了钙钛矿型结构的PLT陶瓷薄膜.     

(Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻-温度等电学特性的测试和分析,对(Ba,Sr)TiO     

非晶态合金Fe83B17和Ni64B36结构的研究

本文叙述了用偏振中子衍射方法对Fe₈₃B₁₇非晶合金和中子衍射方法对Ni₆₄B₃₆非晶合金的结构研究。由实验数据计算了每种合金的偏干涉函数(PSF)S_ij(Q),和偏简约径向分布函数G_ij(r)。并得到原子短程结构上的各项参数。在此基础上,讨论了这一类非晶态合金的结构模型,计算了其一种模型简单单元的中子衍射散射强度,并和实验所得的结果作了比较。 关键词：     

基于LabVIEW平台的滤波器测控系统

构造了一种用于高频滤波器的测控系统,在LabVIEW平台下,通过RS-232串口控制滤波器工作于不同的频率点,网络分析仪对滤波器进行测试,测试所得数据由GPIB接口送入计算机存储,与传统的测控系统相比,该系统操作方便,性能优良,大大地提高了测试效率,方便了数据的存储及分析。     

非晶态合金Fe_(83)B_(17)和Ni_(64)B_(36)结构的研究

本文叙述了用偏振中子衍射方法对Fe_83B_17非晶合金和中子衍射方法对Ni_64B_36非晶合金的结构研究。由实验数据计算了每种合金的偏干涉函数(PSF) S_(ij)(Q),和偏简约径向分布函数G_(ij)(r)。并得到原子短程结构上的各项参数。在此基础上,讨论了这一类非晶态合金的结构模型,计算了其一种模型简单单元的中子衍射散射强度,并和实验所得的结果作了比较。     

近红外光电探测器的发展与应用

近红外光电探测器在军事和国民经济中应用广泛,如航空航天、光通信、工业控制、近红外成像等领域。文章首先讲述了近红外光电探测器的发展历史、工作原理和基本应用情况。通过比较各类光电探测器的性能参数,可以看出基于纳米材料的近红外光电探测器具有很高的响应度、探测率和响应速度。然后,文章将着重介绍近红外光电探测器在光纤通信、无人驾驶、模式识别和光电耦合等领域的发展情况及相关原理。最后,文章对近红外光电探测器的发展前景进行了展望。未来近红外光电探测器将全面应用于各大领域,但是高端的材料生长技术、高效的光电转化方法以及大规模光电器件集成工艺等方面的不足依旧是限制纳米光电探测器发展的主要因素。