对苯甲酸偶氮基杯〔4〕芳烃衍生物的合成及其光谱性能研究

以 4-氨基苯甲酸为原料经重氮化 -偶联反应合成了 5 ,1 1 ,1 7,2 3 -四 (4 -苯甲酸 )偶氮基 -2 5 ,2 6,2 7,2 8-四羟基杯〔4〕芳烃 ,产物的结构经 IR、NMR和元素分析予以确证 ,在有机介质中研究了它的吸收光谱性能     

分析化学中的采样及其质量控制

本文讨论了采样在分析化学中的地位及相关的问题,认为采样是分析过程的重要步骤之一,分析质量的控制在于试样质量的控制。采样必须依据研究目的而定,并通过评价系统协调试样类型、试样数目、试样尺度、采样位置和采样程序,以达到控制试样质量的目的。文献25篇。     

ABPT键合硅胶柱富集分离Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)的研究

研究了一种ABPT键合硅胶对Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ )选择性柱富集的实验条件。以线性扫描极谱法作为测定手段,富集倍数为 50倍时,对于微克级的Pb(Ⅱ )、Cd(Ⅱ )回收率分别为 97%和 86%。该方法对Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)检测的线性范围分别是 1×10-7 mol/L~1×10-4mol/L和 2×10-7mol/L~1×10-4mol/L。该方法以淋洗液直接作为线性扫描极谱法测定的底液,具有操作方便,富集倍数较大的特点,结果表明AB PT键合硅胶的可重复使用性能良好。     

Cadion 2B改性硅胶预富集水体中的痕量金属

市售硅胶经HNO_3、HCI活化处理后能附载镉试剂2B.文中讨论了镉试剂2B改性的硅胶预富集自来水、湖水中的痕量金属离于,考察了各离子的富集、洗脱条件,从而建立了定量富集痕量锌、镉、汞、银的方法.该方法富集信数可达200倍以上,操作简便.     

桥连的双[噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮]的合成

2-氨基-4-三氟甲基-5-甲基-噻吩-3-羧酸乙酯(1)与三苯基膦、六氯乙烷及三乙胺反应,以84％的产率得到膦亚胺2.在碳酸钾的催化下,膦业胺2与芳基异氰酸酯和双官能亲核试剂的串联氮杂Wittig反应制得新型桥连的双[噻吩并[2,3-d]嘧啶-4(3H)-酮]3,产率为58％～82％.所有产物结构经IR,1HNMR,MS表征和元素分析确证.     

新型钳状芳杂环杯[4]芳烃修饰电极对银离子的分子识别研究

合成了25,27-二羟基-26,28-双(3-苯并噻唑基硫代丙氧基)-5,11,17,23-四叔丁基杯[4]芳烃,并将其研制成PVC膜化学修饰电极.探讨了膜电极的修饰方法及伏安性能对金属离子的识别及其识别机理.结果表明,采用涂层-刻痕法制备的修饰电极在0.2mol/LHNO₃溶液中对银离子有很灵敏的伏安响应,在5.0×10^-8～1.3×10^-6mol/L范围内氧化峰电流与银离子呈线性关系,检测限为3.8×10^-8mol/L.用该法测定了一些实际样品,结果令人满意.     

溶剂浮选原子吸收光度法测定PPb级镉

文中分别考察了溶液酸度、表面活性剂、吸收剂及干扰等诸因素对镉的溶剂浮选原子吸收光度法测定的影响,建立了水中PPb级Cd(Ⅱ)的分析方法,该方法测定的性范围为0—5微克/3oml,变动系数小于8％。     

Cadion 1B对CdTe量子点光谱性质的影响

本文研究了水溶液中镉试剂1B对巯基乙酸稳定下CdTe量子点(CdTe QD)荧光和紫外吸收光谱的影响，文中分别考察了表面活性剂、缓冲介质、镉试剂2B用量、pH以及温度的影响。结果表明：镉试剂1B作用于CdTe QD后产生新的可见光谱吸收峰，并对CdTe QD的荧光有猝灭作用，同时借它们之间的作用可实现镉试剂1B对CdTe QD的包覆，表观平衡常数为1.095×106mol·L-1，表面覆盖率达45%。热力学结果显示，镉试剂1B与CdTe QD的作用是一个自发的、熵驱动的过程，其作用力主要表现为静电作用。     

毛细管电泳-光纤光谱联用技术检测结晶紫

开发新型毛细管电泳-光纤光谱联用技术并应用于结晶紫的快速检测。以结晶紫为对象,考察了电泳和溶液条件对结晶紫的分离分析信号的影响。结果表明,检测结晶紫的最佳条件为:流动相是0.1 mol/L磷酸缓冲溶液(pH 4.0),检测波长590 nm,分离电压3 kV,进样时间60 s.在最佳条件下,吸光度与0.8~10μg/mL结晶紫呈现良好的线性关系,相关系数为0.9954,检出限为0.8μg/mL.方法成功地应用于水体中结晶紫的快速检测。     

核壳结构AgInS2@ZnS量子点的合成及荧光性能

合成了一种新型核壳结构的AgInS₂@ZnS量子点并研究了其荧光性能. AgInS₂@ZnS的合成包括以变性牛血清白蛋白(dBSA)为稳定剂水相法构建AgInS₂核以及形成ZnS壳两部分. 考察了配方和工艺条件对该量子点荧光性能的影响, 并采用X射线粉末衍射(XRD)等手段对制备的纳米粒子进行了表征. 结果表明, AgInS₂@ZnS是一种核壳结构的纳米物质, 其粒径介于5~7 nm之间, 荧光量子产率达35.3%.