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本文采用PECVD技术,在SnCl_4和氧等离子体气氛中,于250℃衬底温度,在有SiO_2表面层的硅单晶衬底片上沉积了SnO_2,薄膜。并对该膜的化学组成、表面形貌及其它性质做了研究。 相似文献
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