GaAs压电物性的研究

较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性.     

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.     

由MOS结构的瞬态响应确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法

在将表面产生速度看作常数的条件下,本文导出了MOS结构对阶跃电压瞬态响应曲线的解析表达式。从而提出了一种无需Zerbst图而能同时确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法。对一些样品进行了测量。计算结果表明本方法较之其它方法更为简便。     

γ辐照对MOS结构中可动离子的影响

本工作利用TSIC和B-T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_2膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子总量大大减少。利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对实验结果进行了讨论。计算表明理论与实验吻合较好。     

快电子扫描高清晰度硅靶摄象管的理论研究

文中提出一种新型的高清晰度电视摄象管的方案。特点是采用“反向击穿硅光电二极管”做靶面,并用快电子扫描。它不仅具有快电子扫描分辨率高的优点,还具有慢电子扫描的优点,因而是高清晰度电视摄象管的较理想的工作模式。文中讨论了该方案的有关理论问题。