光纤面板传输机理研究(Ⅱ)

本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。     

多路温度控制系统的设计与实现

介绍了一个以沤麻池为控制对象的微机群控系统，该系统以ＣＳ８０１Ｃ工业控制用单板机为智能控制部件，采用８０个温度传感器和变送器，对４０个沤麻池的温度进行自动检测与控制，保证沤麻池的温度在规定内，从而直接提高亚麻纤维的产量和质量。     

稀土在熔盐被覆铬碳化物中的作用研究

研究了熔盐被覆铬碳化物的工艺过程，着重探讨了稀土对Ｔ１２Ａ钢熔盐渗铬的催渗及微合金化作用机理。结果表明，在加入稀土的熔盐中渗中提高渗速３０％－５６％，同时还能提高工件表面的抗氧化和耐腐蚀性能以及工件的使用寿命。     

厚皮香大孢子发生与雌配子体形成

 厚皮香大孢子与雌配子体形成特征首次报道如下:双珠被,薄珠心,珠孔为内珠被构成,弯生胚珠,有珠被绒毡层;大孢子孢原细胞在直接发育为大孢子母细胞,大孢子母细胞减数分裂正常,四分体直线型;功能大孢子为合点端的一个单孢子,胚囊发育类型为蓼型;成熟胚囊中卵器发育正常并分化明显,两极核在胚囊发育后期融合为一次生核;成熟胚囊包括卵器,一个中央细胞,反足细胞与珠心核在胚囊初期存在而最终消失解体.笔者初步探讨了厚皮香亚科5属的比较胚胎学特征及其系统演化.     

用原子吸收光谱法测定催化剂中的铂

建立了利用石墨炉原子吸收光谱法测定催化剂中铂含量的方法。在标准溶液和试样溶液中加入铜离子，可以消除其他离子的干扰，并且提高测定铂的灵敏度。实验表明，高浓度的铝对测定结果有影响，而酸度的影响很小。在一定的浓度下，Fe^3 ，Ni^2 等7种干扰离子对测定结果的影响很小。该方法的检出限为0．044mg／L，加标回收率为99％～105％，相对标准偏差在0．73％左右。     

绿色建筑发展关键主体动态博弈——基于供给侧结构性改革视角

 中国绿色建筑市场正处于稳步发展阶段，但仍然存在供需结构不合理、各方利益关系协调不均衡等问题。基于供给侧结构性改革视角，分析了绿色建筑发展过程中“供应侧”和“需求侧”两端正外部经济性特征，构建了政府与供、需两端关键主体动态博弈模型，提出了基于政府、房地产开发商和消费者的对策建议。通过研究，表明绿色建筑发展前期阶段存在正外部经济效应和市场失灵共生现象，供、需两端并不能满足帕累托效率的平衡量要求，只通过市场自身资源配置功能调节绿色建筑市场结构和各主体利益关系存在局限性，政府的适度干预有利于实现供、需两端最优利益组合和利益均衡，有助于加快实现传统建筑市场转型升级。     

树脂担载金催化苯胺衍生物氧化羰化制氨基甲酸甲酯

树脂类高聚物担载的各种过渡金属和贵金属催化剂在加氢、选择氧化、聚合、氢甲酰化等反应中已有应用^[1,2],金催化剂作为一种新型的催化材料正日益引起人们的重视。继无机氧化物担载金催化剂得到广泛使用后^[3-7],有机金催化下的醇醛缩合^[8]、烯烃羧化^[9]以及锡烷偶联^[10]等反应的效果亦很好。最近,我们将有机金配合物催化剂用于胺类化合物氧化羰化制取氨基甲酯的反应^ [11],结果很好。但该均相催化体系仍存在催化剂分离回收和重复使用困难等问题。我们将金担载于各种高聚物上并用于苯胺及其衍生物的氧化羰化时,发现使用大孔弱酸性阳离子交换树脂作为催化剂载体对该反应的活性很高。相对于以往广泛研究的钯、钌、铑等的各种配合物加助催化组分催化剂体系^[12-14],这一体系简单、高效、易分离,且能够重复使用。     

浅谈机电一体化

随着社会的不断进步,机电一体化技术不仅影响到整个工程的质量、工期、投资和预期效果,还对整体设备的安全运行、节能效果及工程投入使用后的使用功能等有影响。在以计算机网络为基础的网络化、智能化时代,机电一体化的作用越来越显得重要,涉及领域越来越广,技术更新更快,也将更加复杂。     

背景离子对空气放电特性的影响

本文利用一个能产生稳定的离子浓度的独立的离子源,在被研究的间隙中形成一定的离子背景,用升降法观测了正、负背景离子对棒-板间隙百分之五十击穿电压的影响;测量了正、负背景离子对正棒-板间隙伏秒特性的影响;用截波静止摄影法观测了正、负离子背景对放电通道的形态及先导发展速度的影响。文中对这些观测结果的物理机理给予了解释。     

A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.